Application: | Produits électroniques |
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certificat: | RoHS, CE, ISO |
Intensité lumineuse: | Standard |
Structure: | Planar |
Matériel: | Silicium |
équipement 1: | technologie de processus avancée |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Les cinquième GenerationHEXFET d'International Rectifierutilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre la zone de persilicon de résistance. Cette benefit.combined avec la vitesse de commutation rapide et la conception de dispositif robuste pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le boîtier to-247 est préféré pour les applications commerciales industrielles où des niveaux de puissance plus élevés empêchent l'utilisation des dispositifs TO-220.le BOÎTIER TO-247 est similaire mais supérieur au boîtier TO-218 précédent en raison de son trou de montage isolé.
Fonctionnalités
Technologie de processus avancée
Indice dv/dt dynamique
175 °C ; température de fonctionnement
Commutation rapide
Entièrement homologué Avalanche
Sans plomb
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