Personnalisation: | Disponible |
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Structure d′encapsulation: | sot-23 |
Application: | Produits électroniques |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
Description
Cinquième génération HEXFETsfromInternational Rectifierutiliserdeadvancedeprocessingtechniques pour obtenir une zone de persilicon de résistance extrêmement faible. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du circuit pour lequel les MOSFET de puissance HEXFET sont connus, Fournit à la conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.UN cadre de dérivation personnalisé a été intégré dans le boîtier StandardSOT-23 pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec le plus petit encombrement du secteur. Ce kit, appelé Micro3, est idéal pour les applications où l'espace sur les cartes de circuits imprimés est au aprium. Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'installer dans des environnements d'application extremelythin tels que les cartes de l'électronique de la table et PCMCLA.
Fonctionnalités
Technologie de génération V.
Très faible résistance à l'activation
MOSFET canal P.
Empreinte SOT-23
Bas profil (<1,1 mm)
Disponible en bandes et en bobines
Commutation rapide
Sans plomb
Conforme RoHS, sans halogène
Paramètre de produit
Référence de base | type de package | emballage standard | numéro de pièce pouvant être commandé | |
Forme | Quantité | |||
IRLML6302 | SOT-23 | Ruban et bobine | 3000 | IRLML6302 |