CMP machine pour substrat LED

• Paquet de Transport: Sea
• Spécifications: 2000KG
• Marque Déposée: MINDERHIGHTECH
• Origine: Guangzhou
• Code SH: 8501109101

Description de Produit

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

MACHINE DE RODAGE/POLISSAGE DE SUBSTRAT SEMIAUTO

Application de la machine

Type de processus

Trier par matériau de processus

Trier par application

UN SEUL CÔTÉ
PLAQUE
RODAGE &
POLISSAGE

Métal et alliage
Céramique
Oxyde
Carbure
Verre
Plastique

Semi-conducteur

Substrat LED
Si, SIC, GE, GE-si, GAN, GaAs, GaAsAl, GaAsP, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3, etc

Résine

PE,E/VAC,SBS,SBR,NBR,SR,BR,PR

CI

,, adhensive,revêtement,circuit

Optique

,,,lentille HUDOPTICAL,verre HUD, verre d'écran

Radar
Gemstaone
Autres

Plaque de revêtement en oxyde
Jade, saphir, agate etc
Bague d'étanchéité de soupape. Micromètre diamant, roulement, etc

Le rodage ne peut éliminer qu'une légère épaisseur d'objet. Si la marge de tension >=100 UM, une machine plus fine est nécessaire. (Contactez-nous pour obtenir une plus fine)

Spécifications de la machine

Classe de machine

Spécification standard

Série de machines

MDS8104LMFR

Diamètre de la plaque

Φ810mm

Max. Diamètre de l'objet

Φ350 mm

Numéro de station

4

Vitesse de rotation de la plaque

0-90 TR/MIN

Vitesse de rotation de la barre de cylindre

0-40 TR/MIN

Vitesse de surfaçage et de rainurage
Ne pas inclure dans le polissage

0-120 mm/m

Poids total

2200kg

Espace au sol

2200*1200mm

Choix facultatif

Spécifications

Commandes

API numérique / écran tactile

Source de pression

Intégré à l'API

Système de surfaçage et de rainurage

Profondeur  d'alimentation à commande numérique/manuelle intégrée au PLC /    
Profondeur d'alimentation de commande API intégrée à l'API

Système de refroidissement des plaques

Intégré à la machine

Système d'alimentation en lisier

Numérique / intégré avec PLC

Système d'entraînement de la barre de cylindre

Intégré à l'API

Système d'aspiration de poussière

Manuel / intégré avec API

1,la fabrication d'échantillons en fonction des exigences de production peut confirmer la nécessité de kits en option.
2,les options ombrées sont buit dans cette machine.
3,le système de surfaçage et de rainurage n'est pas nécessaire pour la machine de polissage et n'est pas configuré.
4,la machine de rodage/polissage de substrat est hautement configurée, UN abri anti-poussière est utilisé pour la protection contre le frottement de particules fugitives ou solides contre la surface de l'objet pendant le traitement, en particulier lors du polissage.
5,Contactez-nous pour plus de type de machine à roder/polir



 

Échantillons

Enregistrement d'échantillon

Application et matériau

 

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

MACHINE DE RODAGE/POLISSAGE DE SUBSTRAT SEMIAUTO

Application de la machine

Type de processus

Trier par matériau de processus

Trier par application

UN SEUL CÔTÉ PLAQUE RODAGE & POLISSAGE

Métal et alliage Céramique Oxyde Carbure Verre Plastique

Semi-conducteur

Substrat LED Si, SIC, GE, GE-si, GAN, GaAs, GaAsAl, GaAsP, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3, etc

Résine

PE,E/VAC,SBS,SBR,NBR,SR,BR,PR

CI

,, adhensive,revêtement,circuit

Optique

,,lentille HUDOPTICAL,verre HUD, verre d'écran

Radar Gemstaone Autres

Plaque de revêtement en oxyde Jade, saphir, agate etc Bague d'étanchéité de soupape. Micromètre diamant, roulement, etc

Le rodage ne peut éliminer qu'une légère épaisseur d'objet. Si la marge de tension >=100 UM, une machine plus fine est nécessaire. (Contactez-nous pour obtenir une plus fine)

Spécifications de la machine

Classe de machine

() Rodage plat Machine

() Disque double Machine à roder

Polissage au pinceau Machine

Machine à meuler/effiler les substrats

Spécification standard

Série de machines

MDS8104LMFR

Diamètre de la plaque

Φ810mm

Max. Diamètre de l'objet

Φ350 mm

Numéro de station

4

Vitesse de rotation de la plaque

0-90 TR/MIN

Vitesse de rotation de la barre de cylindre

0-40 TR/MIN

Vitesse de surfaçage et de rainurage Ne pas inclure dans le polissage

0-120 mm/m

Poids total

2200kg

Espace au sol

2200*1200mm

Choix facultatif

Spécifications

Commandes

API numérique / écran tactile

Source de pression

Intégré à l'API

Système de surfaçage et de rainurage

Profondeur  d'alimentation à commande numérique/manuelle intégrée au PLC /     Profondeur d'alimentation de commande API intégrée à l'API

Système de refroidissement des plaques

Intégré à la machine

Système d'alimentation en lisier

Numérique / intégré avec PLC

Système d'entraînement de la barre de cylindre

Intégré à l'API

Système d'aspiration de poussière

Manuel / intégré avec API

1,la fabrication d'échantillons en fonction des exigences de production peut confirmer la nécessité de kits en option. 2,les options ombrées sont buit dans cette machine. 3,le système de surfaçage et de rainurage n'est pas nécessaire pour la machine de polissage et n'est pas configuré. 4,la machine de rodage/polissage de substrat est hautement configurée, UN abri anti-poussière est utilisé pour la protection contre le frottement de particules fugitives ou solides contre la surface de l'objet pendant le traitement, en particulier lors du polissage. 5,Contactez-nous pour plus de type de machine à roder/polir

Échantillons

Enregistrement d'échantillon

Application et matériau

Diamètre diagonal

Processus Type

Planéité

Rugosité

Parallèle

Epaisseur

Remarque

Saphir industriel

divers

Rodage Polissage

2 μm

≤Ra 0.02 μm

5 μm ±1 μm

0,2mm

N

Wafer solaire

Divers

Rodage

1 μm

Non requis

2 μm ±1 μm

0,15 mm

N

Substrat CaC2

Φ22mm

Rodage

0,5μm

Non requis

1 μm ±0,5 μm

0,05 mm

N

Wafer Si

Divers

Rodage Polissage

2 μm

≤Ra 0.02 μm

3 μm ±1 μm

0,1 mm

N

SUBSTRAT de LED cuivre

Φ169mm

Rodage Polissage

5 μm

≤Ra 0.01 μm

5 μm ±1 μm

Non requis

N

Substrat MgO

Φ72mm

Rodage

1 μm

Non requis

1 μm

0,1 mm

N

Substrat Al2O3

Φ158mm

Rodage Polissage

3 μm

≤Ra 0.02 μm

3 μm ±1 μm

0,13mm

N

Diamètre tonal

Processus
Type

Planéité

Rugosité

Parallèle

Epaisseur

Remarque

Saphir industriel

 

divers

Rodage
Polissage

2 μm

≤Ra 0.02 μm

5 μm
±1 μm

0,2mm

N

Wafer solaire

Divers

Rodage

1 μm

Non requis

2 μm
±1 μm

0,15 mm

N

Substrat
CaC2

Φ22mm

Rodage

0,5μm

Non requis

1 μm
±0,5 μm

0,05 mm

N

Wafer
Si

Divers

Rodage
Polissage

2 μm

≤Ra 0.02 μm

3 μm
±1 μm

0,1 mm

N

SUBSTRAT de LED cuivre

Φ169mm

Rodage
Polissage

5 μm

≤Ra 0.01 μm

5 μm
±1 μm

Non requis

N

Substrat
MgO

Φ72mm

Rodage

1 μm

Non requis

1 μm

0,1 mm

N

Substrat
Al2O3

Φ158mm

Rodage
Polissage

3 μm

≤Ra 0.02 μm

3 μm
±1 μm

0,13mm

N