Système de décapage par ions réactifs analyse de défaillance de la Rie ICP eBeam

• After-sales Service: 3 Year
• Warranty: 1 Year
• Type: Electrical Etching Machine
• Object: Rie
• Usage: Rie
• Precision: High Precision
• N° de Modèle.: MD150-RIE MD200-RIE MD200C-RIE
• Condition: New
• Marque Déposée: minder-hightech
• Origine: China
• Capacité de Production: 100

Description de Produit

Système de gravure ionique réactif
RIE

Matériaux appliqués :
Couche de passivation : SiO2, SiNx
Backsilicium
Couche adhésive : Havane
Trou traversant : W

Fonction :1. Décapage de la couche de passivation avec ou sans trous; 2. Décapage de la couche adhésive; 3. Gravure en silicone

Configuration du projet et schéma de structure de la machine

Élément	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Taille du produit	≤6 pouces	≤8 pouces	≤8 pouces
Source d'alimentation RF	0-300W/500W/1000W réglable, correspondance automatique
Pompe moléculaire	-/620(L/s)/1300(L/s)/personnalisé		Antiseptique620(L/s)/1300(L/s)/personnalisé
Pompe de foreline	Pompe mécanique/pompe à sec		Pompe à sec
Pression du processus	Pression non contrôlée/pression contrôlée 0-1Torr
Type de gaz	H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/PERSONNALISÉ (Jusqu'à 9 canaux, pas de gaz corrosif et toxique)		H2/CH4/O2/N2/AR/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(jusqu'à 9 canaux)
Gamme de gaz	0 à 5 cm/50 cm/100 cm/200 cm/300 cm/500 cm/personnalisé
LoadLock	Oui/non		Oui
Contrôle de l'échantillon	10 °C~Room tem/-30 °C~100 °C/personnalisé		-30°C~100°C /personnalisé
Refroidissement à l'hélium de retour	Oui/non		Oui
Traiter la garniture de cavité	Oui/non		Oui
Commande de paroi d'empreinte	No/ProRoomtem~60/120°C.		Pièce à 60/120°C.
Système de commande	Auto/personnalisé
Matériau de gravure	À base de silicium : si/SiO2/SiNx ··· IV-IV: SIC Matériaux magnétiques/matériaux en alliage Matériau métallique : ni/Cr/Al/au..... Matière organique: PR/PMMA/HDMS/organique film......		À base de silicium : si/SiO2/SiNx...... III-V(3) : INP/GaAs/GAN...... IV-IV: SIC II-VI (3) : CdTe...... Matériaux magnétiques/matériaux en alliage Matériau métallique : ni/Cr/A1/au...... Matière organique: PR/PMMA/HDMS /film organique...

Résultat du processus
^{Gravure de matériaux à base de silicium
Matériaux à base de silicium, motifs de nano-empreinte, matrice
motifs et gravure de motif de lentille}

Gravure à température normale INP
Gravure de patrons de dispositifs à base d'InP utilisés dans la communication optique, y compris la structure de guide d'ondes, la structure de cavité résonnante, la structure de crête, etc

Décapage du matériau SIC
Adapté aux appareils à micro-ondes, aux appareils électriques, etc

Pulvérisation physique, gravure décapage du matériel organique

Il est appliqué à la gravure de matériaux difficiles à graver tels que certains métaux (comme le ni / Cr) et la céramique, et le décapage de la chatternede des matériaux est réalisé par bombardement physique.

Il est utilisé pour la gravure et l'élimination des composés organiques Comme le photorésiste (PR)/PMMA/HDMS/polymère

Matériau du film cermet (au/ni/Cr/Al2O3)


Affichage des résultats de l'analyse des échecs


Spécification :
1. Empêcher les éclats de voler
2. Nœud minimum pouvant être traité : 14 nm ;
3. Taux de gravure SiO2/SiNx : 50 à 150 nm/min ;
4. Rugosité de surface gravée :<1 nm ;
5. Couche de passivation de support, couche d'adhésion et gravure de silicone de fond ;
6. Rapport de sélection Cu/Al : > 50
7. Appareil tout-en-un LxlxH: 1300mmX750mmX950mm
8. Prendre en charge l'exécution en un clic

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