shape: | DIP/SMD |
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Conductive Type: | N/a |
Integration: | N/a |
Technics: | N/a |
Paquet de Transport: | N/a |
Spécifications: | DIP/SMD |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Package
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Ruban et bobine (TR)
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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30 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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30 a (Ta)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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4,5V, 10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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8,2 mOhm @ 15 a, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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-
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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26 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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1650 pF @ 10 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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15 W (TC)
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Température de fonctionnement
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150 °C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package de périphérique fournisseur
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LFPAK
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Emballage/caisse
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SC-100, SOT-669
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Numéro de produit de base
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HAT2516
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