forme: | DIP/SMD |
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Conductive type: | N/a |
L′intégration: | N/a |
Technique: | N/a |
Paquet de Transport: | N/a |
Spécifications: | DIP/SMD |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Statut de la pièce
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Actif
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Type FET
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2 canaux N (double)
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Fonction FET
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Standard
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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40 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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20 a (TC)
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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8,6 mOhm @ 17A, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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4 V @ 22 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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28 °C @ 10 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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2250 pF @ 25 V.
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Puissance - max
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54 W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Emballage/caisse
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8-PowerTDFN
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Package de périphérique fournisseur
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PG-TDSON-8
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Numéro de produit de base
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IPG20N04
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