Personnalisation: | Disponible |
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certificat: | ISO |
Structure d′encapsulation: | Transistor à puce |
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Commande d'Échantillons
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Frais de livraison: | Contactez le fournisseur au sujet du fret et du délai de livraison estimé. |
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Modes de Paiement: |
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Paiements de soutien en USD |
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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
TYPE
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DESCRIPTION
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Catégorie
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Produits semi-conducteurs discrets
Les transistors
Fet, MOSFET
Transistors FET unique, MOSFET
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Mfr
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International Rectifier
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Série
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HEXFET®
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Paquet
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Vrac
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Le statut du produit
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Actif
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Type de transistor FET
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N-canal
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La technologie
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Le MOSFET (Metal Oxide)
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Vidanger de source de tension (Vdss)
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200 V
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- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
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18A (TC)
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Rds de (Max) @ Id, VGS
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150mOhm @ 11A, 10V
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Vgs(th) (max.) @ Id
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4V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
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67 nC @ 10 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
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1160 pF @ 25 V
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La dissipation de puissance (maxi)
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150 W (TC)
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La température de fonctionnement
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-55 °C ~ 175 °C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Emballage du dispositif de fournisseur
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D2PAK
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Package / cas
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D'D²Pak-263-3, (2 fils + Tab), à-263AB
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