shape: | DIP |
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Conductive Type: | Standard |
Integration: | Standard |
Technics: | Standard |
série: | Hexfet |
technologie: | mosfet (oxyde métallique) |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
TYPE
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DESCRIPTION
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Catégorie
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Produits de semiconducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET simples, MOSFET
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MFR
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Infineon technologies
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Série
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HEXFET®
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Package
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Tube
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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55 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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110 a (TC)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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8 mOhm @ 59A, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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4 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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170 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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4000 pF @ 25 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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200 W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Trou traversant
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Package de périphérique fournisseur
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TO-247AC
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Emballage/caisse
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TO-247-3
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Numéro de produit de base
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IRFP064
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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées