Personnalisation: | Disponible |
---|---|
certificat: | ISO |
Structure d′encapsulation: | Transistor à puce |
Vous hésitez encore ? Obtenez des échantillons $ !
Commande d'Échantillons
|
Frais de livraison: | Contactez le fournisseur au sujet du fret et du délai de livraison estimé. |
---|
Modes de Paiement: |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
---|---|
Paiements de soutien en USD |
Paiements sécurisés: | Chaque paiement que vous effectuez sur Made-in-China.com est protégé par la plateforme. |
---|
Politique de remboursement: | Réclamez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est manquante ou arrive avec des problèmes de produit. |
---|
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
TYPE
|
DESCRIPTION
|
---|---|
Catégorie
|
Produits de semiconducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET simples, MOSFET
|
MFR
|
Vishay Siliconix
|
Package
|
Tube
|
État du produit
|
Actif
|
Type FET
|
Canal P.
|
Technologie
|
MOSFET (oxyde métallique)
|
Tension de vidange à la source (Vdss)
|
200 V.
|
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
|
11A (TC)
|
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
|
10V
|
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
|
500 mOhm @ 6,6 a, 10 V.
|
VGS(th) (Max) @ ID
|
4 V @ 250 µA
|
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
|
44 NC @ 10 V.
|
VGS (max.)
|
±20 V.
|
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
|
1200 pF @ 25 V.
|
Fonction FET
|
-
|
Dissipation de puissance (max.)
|
125 W (TC)
|
Température de fonctionnement
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
Type de montage
|
Trou traversant
|
Package de périphérique fournisseur
|
TO-220AB
|
Emballage/caisse
|
TO-220-3
|
Numéro de produit de base
|
IRF9640
|