certificat: | ISO |
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Forme: | trempez |
Type de Blindage: | s/o |
Méthode de refroidissement: | s/o |
Fonction: | Transistor Haute Pression Retour, s/o |
Fréquence de travail: | Haute fréquence |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
TYPE
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DESCRIPTION
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Sélectionnez
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Catégorie
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Produits semi-conducteurs discrets
Les transistors
Fet, MOSFET
Transistors FET unique, MOSFET
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Mfr
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STMicroelectronics
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Série
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MDmesh™
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Paquet
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Le tube
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Le statut du produit
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Actif
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Type de transistor FET
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N-canal
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La technologie
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Le MOSFET (Metal Oxide)
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Vidanger de source de tension (Vdss)
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800 V
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- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
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17A (TC)
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Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
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10V
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Rds de (Max) @ Id, VGS
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295mOhm @ 8.5A, 10V
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Vgs(th) (max.) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
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70 nC @ 10 V
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Vgs (max.)
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±30V
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Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
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2070 pF @ 50 V
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Fonctionnalité de FET
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-
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La dissipation de puissance (maxi)
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190W (TC)
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La température de fonctionnement
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150 °C (TJ)
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Type de montage
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À travers le trou
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Emballage du dispositif de fournisseur
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D'-247-3
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Package / cas
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D'-247-3
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Numéro de produit de base
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STW18
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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées