• Mémoire Flash NOR de 512 Mo à 200 degrés pour les packages de stockage MWD
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Mémoire Flash NOR de 512 Mo à 200 degrés pour les packages de stockage MWD

Paquet de Transport: Box
Spécifications: 15.5 x 21.6 /2.54 mm
Marque Déposée: ZITN
Origine: China.

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Aperçu

Info de Base.

Code SH
8523511000
Capacité de Production
20000

Description de Produit



200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

description du produit

200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages
Mémoire Flash NAND à résistance élevée aux températures
LDMF1GA /4GA


La puce est une mémoire Flash NAND haute température, avec lecture et écriture rapides, haute fiabilité, excellentes caractéristiques de performances à haute et basse température. Il peut fonctionner à -45 ºC ~ 175 ºC dans un environnement difficile à long terme.

Température de fonctionnement : -45 ºC ~ +175 ºC
Le courant de fonctionnement le plus élevé : 90 mA
Courant de veille : <2 ma
Plage de tension de fonctionnement (Vcc) : 2.7 V ~ 3.6 V.
Niveau d'entrée haut (V) : 0,8 Vcc ~ Vcc+0.3
Niveau d'entrée bas (V) : -0,3 ~ 0,2 VCC
Niveau de sortie élevé (V) : 2.4 ~ Vcc
Niveau de sortie bas (V) : -0,3 ~ 0.4
Temps de maintien des données de température élevée : ≥500 h.
Durée de vie : ≥ 2000 h.
Vitesse de lecture/écriture : 2.8 ms/page lecture 2,15 ms/page écriture
Boîtier : boîtier 16 broches DIP sans PB

 

paramètres du produit

200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages
200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

Description du code PIN :

BROCHE Description fonctionnelle
IO0 ~ IO7 Entrée / sortie multiplexée
Adresse de transfert d'E/S bidirectionnel, données et informations de commande.
Lorsque la broche C(-)E(-) est élevée, l'E/S est à impédance élevée.
CLE Activer verrou de commande
Lorsque CLE est élevée, la commande est verrouillée dans le registre de commandes via le port IO situé sur le front montant du signal.
ALE Verrouillage d'adresse activé
Lorsque ALE est élevé, l'adresse est verrouillée dans le registre d'adresses via le port IO sur le front montant du signal.
C(-)E(-) Activation de la puce
Active ou désactive la puce.
R(-)E(-) Lecture activée
Contrôle la sortie des données série. Lorsque le signal est faible, les données sont transmises au port d'E/S. Les données sont valides après le temps de créa sur le front descendant de R(-)E(-), et le compteur d'adresses de colonne interne est incrémenté automatiquement.
W(-)E(-) Activation de l'écriture
Contrôle l'entrée des données série, de la commande, de l'adresse et des données est verrouillée sur le front montant W(-)E(-).
R/B(-) Sortie prêt/occupé
Indique l'état de fonctionnement du périphérique. Lorsque le niveau est bas, indique que la programmation, l'effacement ou la lecture aléatoire est en cours, lorsqu'il est élevé, indique qu'aucune opération ou opération n'est terminée. Il est recommandé de connecter une résistance de rappel (4,7 K~10 K) à la broche.
CC Alimentation
VSS MASSE
Cycle d'adressage :

LDMF1GA :
Adressage E/S 0 E/S 1 E/S 2 E/S 3 E/S 4 E/S 5 E/S 6 E/S 7  
1er cycle CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 Adresse de colonne 1
2ème cycle CA8 CA9 CA10 CA11 0 0 0 0 Adresse de colonne 2
3e cycle PA0 PA1 PA2 PA3 PA4 PA5 PA6 BA7 Adresse de ligne 1
4ème cycle BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Adresse de ligne 2
5e cycle BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Adresse de ligne 3
Notes : 1. CAX = adresse de colonne, Pax = adresse de page, BAX = adresse de bloc, adresse de page, adresse de bloc appelée adresse de ligne. Adresse d'octet de la page appelée adresse de colonne
Taille de page x8 : 8640 octets (2048 + 64 octets)
Taille de bloc : 128 pages (1024 Ko + 8 Ko)
Numéro de bloc : 4096 blocs

LDMF4GA :
Adressage E/S 0 E/S 1 E/S 2 E/S 3 E/S 4 E/S 5 E/S 6 E/S 7  
1er cycle CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 Adresse de colonne 1
2ème cycle CA8 CA9 CA10 CA11 CA12 CA13 0 0 Adresse de colonne 2
3e cycle PA0 PA1 PA2 PA3 PA4 PA5 PA6 BA7 Adresse de ligne 1
4ème cycle BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Adresse de ligne 2
5e cycle BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Adresse de ligne 3
Notes : 1. CAX = adresse de colonne, Pax = adresse de page, BAX = adresse de bloc, adresse de page, adresse de bloc appelée adresse de ligne. Adresse d'octet de la page appelée adresse de colonne
Taille de page x8 : 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille de bloc : 128 pages (1024 Ko + 56 Ko)
Numéro de bloc : 4096 blocs

Liste d'instructions :
Fonction 1er cycle 2ème cycle
Réinitialiser FFH -
Lisez 00h 30h
Programme de pages 80h 10h
Effacement de bloc 60h D0h

Gestion de bloc non valide
Tous les emplacements du périphérique sont effacés (0xFF), à l'exception de l'emplacement de l'adresse dans un bloc non valide lors de l'expédition de l'usine. L'indicateur de bloc non valide se trouve sur le premier octet de la zone de réserve sur la dernière page du bloc. Les données de bloc non valides sont non 0xFF. Le système doit établir une gestion de bloc non valide pour éviter d'utiliser un bloc non valide. L'adresse de début du premier bloc est 0000h, ce qui est garanti pour être valide expédié de l'usine.
La table de blocs défectueux est créée par l'organigramme suivant (ci-dessous).


Étapes de fonctionnement :
1. Une erreur s'est produite à la page n du bloc A pendant l'effacement ou la programmation.copiez les données de la première page vers la (n-1) -ème page du bloc A à la même position dans l'autre bloc vide B.copiez les données du tampon doivent être enregistrées sur la n-ème page Position du bloc B.Ajouter le bloc A à la table des blocs incorrects.
  1. Cycle de verrouillage de commande
  2. Traiter la séquence de cycle de verrouillage
  3. La séquence de cycle des verrous de données d'entrée
  4. Séquence de cycle des verrous de données de sortie
  5. Instructions système
Opération de lecture :
L'opération de lecture est implémentée en écrivant la commande 00h-30h dans le registre de commandes. Tout d'abord, écrivez la commande 00h, puis écrivez l'adresse avec 5 cycles, enfin, écrivez la commande 30h. Une fois la transmission terminée, la R/B(-) est libérée. L'utilisateur détermine la fin de la transmission de données internes en détectant l'état de R/B(-). Une fois la transmission terminée, l'utilisateur peut démarrer le RE, les données sont lues en continu.
La séquence de lecture est la suivante.


Opération de programmation :
Avant de programmer l'opération, l'utilisateur doit d'abord effacer le bloc. L'opération de programmation est réalisée par l'écriture de la commande 80h-10h dans le registre des commandes. D'abord écrire la commande 80h, puis écrire l'adresse avec 5 cycles, puis charger les données dans le registre du tampon de données interne, enfin écrire 10h après la fin de la commande pour confirmer l'écriture. Une fois la programmation terminée, la R/B(-) est libérée.
Programmation de la séquence d'opération


Opération d'effacement :
La commande d'opération d'effacement est 60h-D0h. Écrire d'abord la commande 60h, puis écrire l'adresse avec 3 cycles , puis écrire la commande D0h pour confirmer l'effacement. Une fois l'effacement terminé, R/B(-) est libéré.

Effacer la séquence d'opération

Réinitialiser opérationRéinitialiser la séquence d'opérations

Remarque : si l'écriture de données sur la page avant l'opération pour terminer l'entrée de la commande de restauration peut entraîner une corruption des données, l'endommagement ne concerne pas seulement la programmation de pages, peut également affecter les pages adjacentes.

Instructions séquentielles (-45ºC~175ºC) : lorsque la température augmente, la vitesse de réponse du périphérique après l'opération peut ralentir.la séquence d'exécution du programme utilisateur peut donner un certain degré de tolérance, ce qui suggère d'augmenter la stabilité de la température élevée.

Liste des paramètres de synchronisation (25ºC) :
Symbole MIN Standard MAX Unités Description
Prog   0.8 3 mme Durée du programme de page
TBERS   1.5 10 mme Heure d'effacement du bloc
CLS tc 15     ns  
CLT 5     ns  
TCS 20     ns  
TCH 5     ns  
Deux 15     ns  
Tuals 15     ns  
Talh 5     ns  
TDS 15     ns  
TDH 5     ns  
TWC 30     ns  
TWh 10     ns  
Réglage 70     ns  
Tr     60 μs  
Goudron 10     ns  
Suppr 10     ns  
TRR 20     ns  
TRP 15     ns  
TWB     100 ns  
TRC 30     ns  
De la     20 ns  
TCEA     25 ns  
PSTZ     100 ns  
TCHZ     30 ns  
TCSD 10     ns  
TRHOH 15     ns  
TRLOH 5     ns  
TCOH 15     ns  
REH 10     ns  
Tir 0     ns  
PSTW 100     ns  
TWHR 60     ns  
TRST     5/10/500 μs Lecture/programmation/effacement
200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages
200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

Profil de l'entreprise

ZITN est une entreprise nationale de haute technologie, créée en 2002 par de nombreux ingénieurs de haute technologie qui ont une vaste expérience dans l'industrie de la microélectronique. Avec 19 ans de développement, ZITN est devenu un leader reconnu de l'industrie en Chine et nous employons au total 175 personnes, dont plus de 49 % sont membres de l'équipe R&D. Nous concevons, développons et fabriquons principalement des inclinomètres de haute précision, des accéléromètres à quartz, des systèmes d'unités de mesure inertielles, DES PRODUITS IF circuit et des mémoires flash NAND largement utilisés pour l'aérospatiale, le forage pétrolier et gazier, les champs d'exploration géologique.
200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

 

Nos avantages

r. Expérience dans les domaines du développement et de la fabrication de ci hybrides à couche épaisse et de capteurs haut de gamme depuis plus de 19 ans.
b. Brevets d'invention plus de 40 projets.
c. Institution scientifique, base de production de plus de 20000 mètres carrés.
d. Plus de 49 % des employés sont issus de l'équipe R&D.
e. Nouveaux clients coopérants plus de 1000 en 3 ans.
f. capacité de production plus de 100000 000/an ;
g. Des solutions professionnelles de pré-vente, de service après-vente, peuvent être fournies en fonction des demandes des clients.
h. Service personnalisé.



Volume miniature ! Technologie créative indépendante !
De la production du servo-circuit à l'assemblage des capteurs à un arrêt .


200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

Emballage et expédition

Boîtier antistatique personnalisé.
Livraison express (DHL, FedEx, TNT, UPS, etc...)
date de livraison dans les 7-10 jours suivant l'expédition de notre usine.

200 Degree 512MB Nor Flash Memory for Mwd Storage Packages

 

FAQ

Quel type de service pouvez-vous fournir ?
À l'exception du modèle de plan de section, nous pouvons également fournir les produits accordés avec les exigences détaillées des clients, tels que l'étalonnage, la réparation, la mise à niveau, etc...


Quel type de test du produit sera effectué avant de quitter votre usine ?
Nous disposons d'un système de contrôle de qualité strict pour garantir les performances du produit, comme le système d'étalonnage de platine non magnétique, le système de test de choc et de vibration, le système de test de cycle de température, etc...


Puis-je obtenir un échantillon pour évaluation ?
Oui, nous sommes prêts à fournir l'échantillon pour l'évaluation et vous guider pour toute question technique dans l'ensemble du processus.

Quelles sont les options de livraison que je peux choisir ?
Nous pouvons fournir le service de livraison express de la compagnie aérienne , tel que DHL/FedEx/TNT express, normalement 7 à 10 jours pour le transport nécessaire.

Puis-je visiter votre entreprise si je suis intéressé?
Oui, notre société est située à Qingdao, nous employons plus de 175 personnes ici, y compris la R&D, la production, la finance, le marketing, etc...


Pour plus d'informations, n'hésitez pas à nous contacter, veuillez envoyer votre demande directement à notre responsable commercial !
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