Motif: | Parallel Beam Load Cell |
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Type de transfo: | Résistance Strain |
Out-Wire: | 4 fils |
Type de sortie Signal: | Type de analogique |
Caractéristique: | Semiconductor |
Procédé de production: | Intégration |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Spécifications : |
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La capacité | Kg | 0.3,0.5,0.6,1,1.5,2 |
Surcharge sûre | %FS | 120 |
Surcharge ultime | %FS | 150 |
La sortie nominale | MV/V | 1,0 ± 0,1 |
Tension d'excitation | Vcc | 9~ 12 |
Erreur de combiné | %FS | ± 0,03 |
Déséquilibre de zéro | %FS | ± 2 |
La non-linéarité | %FS | ± 0,03 |
L'hystérésis | %FS | ± 0,03 |
Répétabilité | %FS | ± 0,02 |
Le fluage | %FS/30min | ± 0,03 |
Résistance d'entrée | Ω | 405 ± 6 |
Résistance de sortie | Ω | 350 ± 5 |
Résistance d'isolement | M Ω | ≥ 5000 @ 100 Vcc |
Plage de température de fonctionnement | ºC | -20 ~ +55 |
Plage de température compensée | ºC | -10 ~ +40 |
Coefficient de température de SPAN | %FS/10ºC | ± 0,02 |
Coefficient de température de zéro | %FS/10ºC | ± 0,03 |
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