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Le transistor MOS à effet de champ est un transistor à effet de champ à oxyde métallique et semi-conducteur, abrégé en MOSFET (transistor à effet de champ à oxyde métallique et semi-conducteur, c'est-à-dire un transistor à effet de champ d'un semi-conducteur à oxyde métallique), qui appartient au type de grille isolée. Il existe une couche isolante de dioxyde de silicium entre la grille métallique et le canal, ce qui lui permet d'avoir une très haute résistance d'entrée (jusqu'à 1015 Ω). Il est également divisé en tube canal N et tube canal P. Généralement, le substrat (substrat) et la source S sont connectés ensemble.
Selon le mode de conduction différent, le MOSFET est divisé en type d'amélioration et en type d'épuisement. Le type amélioré fait référence à : lorsque VGS=0, le tube est à l'état Off ; après avoir ajouté le VGS correct, la majorité des porteurs sont attirés par la porte, « améliorant » ainsi les porteurs dans cette zone et formant un canal conducteur Tao. Le type d'épuisement signifie que lorsque VGS=0, un canal est formé et que le VGS correct est ajouté, la majorité des porteurs peuvent s'écouler hors du canal, ce qui « épuise » les porteurs et éteint le tube.
En prenant le canal N comme exemple, il est réalisé sur un substrat de silicium de type P avec deux régions de diffusion de source N+ et des régions de diffusion de drain N+ avec une concentration de dopage élevée, puis la source S et le drain D sont respectivement sortis. La source et le substrat sont connectés en interne et les deux conservent toujours le même potentiel. La direction du potentiel est de l'extérieur vers l'intérieur, c'est-à-dire du matériau de type P (substrat) au canal de type N. Lorsque la vidange est connectée au pôle positif de l'alimentation et que la source est connectée au pôle négatif de l'alimentation et que VGS=0, le courant du canal (c'est-à-dire le courant de vidange) ID=0. Avec l'augmentation progressive de VGS, attirée par la tension positive de la grille, des porteurs minoritaires chargés négativement sont induits entre les deux régions de diffusion, formant un canal de type N entre le drain et la source. Lorsque VGS est supérieur au tube lorsque la tension d'activation VTN (généralement environ +2V) est atteinte, le tube à canal N commence à se conduire, formant un ID de courant de vidange.
• tension du réseau sud UG
• contrôler son ID courant de drain
• impédance d'entrée élevée
• faible bruit
• large plage dynamique
• faible consommation d'énergie
• facile à intégrer
• le tube à effet de champ peut être utilisé pour l'amplification. L'impédance d'entrée de l'amplificateur de tube à effet de champ est très élevée, le condensateur de couplage peut avoir une capacité plus petite et il est inutile d'utiliser un condensateur électrolytique.
• l'impédance d'entrée élevée du tube à effet de champ est très adaptée à la transformation de l'impédance. Il est souvent utilisé pour conversion d'impédance dans l'étage d'entrée d'un amplificateur multi-étages.
• le tube à effet de champ peut être utilisé comme résistance variable.
• le tube à effet de champ peut être utilisé comme source de courant constant.
• le tube à effet de champ peut être utilisé comme interrupteur électronique.
1. Préparation :
Avant de mesurer, court-circuiter le corps humain à la masse avant de toucher les broches du MOSFET. Il est préférable de connecter un fil au poignet pour le connecter à la terre, de sorte que le corps humain et la terre maintiennent une équipotentielle. Séparer à nouveau les broches, puis déposer les fils.
2. Déterminer l'électrode :
Réglez le multimètre sur le rapport R×100 et déterminez d'abord la grille. Si la résistance d'une broche et d'autres broches est infinie, cela prouve que cette broche est la grille G. Echanger les câbles d'essai et mesurer à nouveau, la valeur de résistance entre S-D doit être de plusieurs centaines d'ohms à plusieurs milliers d'ohms. Le cordon de test noir est connecté au pôle D et le cordon de test rouge est connecté au pôle S à ce moment avec la valeur de résistance la plus faible. Pour les produits de la série 3SK fabriqués au Japon, le pôle S est connecté à la coque, ce qui facilite la détermination du pôle S.
3. Vérifier la capacité d'amplification (transconductance) :
Suspendez la tige G dans l'air, connectez le fil de test noir au pôle D et le fil de test rouge au pôle S, puis touchez le pôle G avec votre doigt, l'aiguille doit avoir une plus grande déflexion. Le transistor à effet de champ MOS à double grille possède deux portes G1 et G2. Pour distinguer, vous pouvez toucher les pôles G1 et G2 avec vos mains, et le pôle G2 est celui avec la plus grande déflexion de la main vers la gauche.
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