| Refractoriness (℃): | 1770< Refractoriness< 2000 |
|---|---|
| Feature: | Long Time Materials, Instant Materials |
| Type: | Refractory Material |
| Shape: | Brick |
| Material: | Boron Nitride |
| nom du produit: | creuset en céramique au nitrure de bore |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Fournisseur Audité
| Le point | Unité | Les données | |
| Constante en treillis | Μ M | A: 2.504 × 10-10 C: 6.692 × 10-10 | |
| Densité apparente | G/cm3 | 2.0-2.19 | |
| Knoop microdureté () (ab Avion) | N/mm2 | 691.88 | |
| Résistivité transversale | Ω·cm | 3.11×1011 | |
| Résistance à la traction (|| "C") | N/mm2 | 153.86 | |
| Résistance en flexion | (|| "C") | N/mm2 | 243.63 |
| (⊥"C") | N/mm2 | 197.76 | |
| Module D' Élasticité | N/mm2 | 235690 | |
| Conductivité thermique | W/m·K | "A" direction "C"direction | |
| (200°C) | W/m·K | 60 2, 60 | |
| (900°C) | W/m·K | 43.70 2.80 | |
| Rigidité diélectrique ( Température ambiante) | KV/mm | 56 | |
| Bagues de rupture Pour Moulage d'acier horizontale | Feedthroughs Pour Un Équipement haute tension |
| Les bateaux Pour l' Aluminium Métallisation évaporateur | Les buses Pour Les métaux non ferreux |
| Composants Pour La fabrication de semiconducteurs | Creusets Pour La croissance des cristaux |
| Les absorbeurs de neutrons | Source de diffusion de Plaquettes |
| Le bore Dopant Pour Galette de silicium | Les isolants En Revêtement PVD / MCV Chambre sous vide |
| Composant électronique de l' Assemblage de Turluttes | Les Composants électroniques & Substrats |
| Entretoises Pour le Fond de verre Et Métaux non ferreux | ... |
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