| Refractoriness (℃): | 1770< Refractoriness< 2000 |
|---|---|
| Feature: | Long Time Materials, Instant Materials |
| Type: | Refractory Material |
| Shape: | Pipe |
| Material: | Boron Nitride |
| nom du produit: | tige de tube en céramique de nitrure de bore 99 % de haute qualité |
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Fournisseur Audité | Élément | Unité | Données | |
| Constante de réseau | μ m | a:2.504×10-10 c:6.692×10-10 | |
| Densité apparente | g/cm3 | 2.0-2.19 | |
| Microdureté (Knoop) ( plan ab) | N/mm2 | 691.88 | |
| Résistivité du volume | Ω·cm | 3.11×1011 | |
| Résistance à la traction (|| « C ») | N/mm2 | 153.86 | |
| Résistance à la flexion | (|| « C ») | N/mm2 | 243.63 |
| (⊥« C ») | N/mm2 | 197.76 | |
| Module d' élasticité | N/mm2 | 235690 | |
| Conductivité thermique | W/m·k | direction « a » direction « c » | |
| (200 °C) | W/m·k | 60 2.60 | |
| (900 °C) | W/m·k | 43.70 2.80 | |
| Rigidité diélectrique ( température ambiante) | KV/mm | 56 | |
| Anneaux de rupture pour moulage horizontal en acier | Traversées pour équipements haute tension |
| Nacelles d'évaporateur pour métallisation de l'aluminium | Buses pour métaux non ferreux |
| Composants pour la fabrication de semi-conducteurs | Creusets pour la croissance des cristaux |
| Amortisseurs de neutrons | Plaquettes source diffusion |
| Dopant au bore pour plaquettes de silicium | Isolateurs dans la chambre de revêtement sous vide PVD / CVD |
| Gabarits d'assemblage de composants électroniques | Composants et substrats électroniques |
| Entretoises pour la fonte de verre et les matériaux non ferreux | ... |
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