shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fabricant: | AOS |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
AO3407A : canal P 30 V 4.3A (Ta) 1,4W (Ta) montage en surface SOT-23-3
MFR. N° de pièce : AO3407A
MFR. : AOS
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
État du produit
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Pas pour les nouvelles conceptions
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Type FET
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Canal P.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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30 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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4.3A (Ta)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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4,5V, 10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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48 mOhm @ 4,3 a, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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3 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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16 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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830 pF @ 15 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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1,4 W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package de périphérique fournisseur
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SOT-23-3
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Emballage/caisse
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3-SMD, SOT-23-3 variante
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Numéro de produit de base
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AO34
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L'AO3407A utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un RDS(ON) excellent avec une faible charge de grille. Ce dispositif peut être utilisé comme interrupteur de charge ou dans les applications PWM.
Remarque :