shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fabricant: | AOS |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
AO3415A : canal P 20 V 5 a (Ta) 1,5 W (Ta) montage en surface SOT-23-3
MFR. Référence : AO3415A
MFR. : AOS
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
État du produit
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Pas pour les nouvelles conceptions
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Type FET
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Canal P.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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20 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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5 a (Ta)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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1,5 V, 4,5 V.
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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45 mOhm @ 4 a, 4,5 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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900 mV @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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11 NC @ 4.5 V.
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VGS (max.)
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±8 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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940 pF @ 10 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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1,5 W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package de périphérique fournisseur
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SOT-23-3
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Emballage/caisse
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3-SMD, SOT-23-3 variante
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Numéro de produit de base
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AO34
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Le modèle AO3415A utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un RDS(ON) excellent, une charge de grille faible et un fonctionnement avec des tensions de grille aussi basses que 1,8 V. Ce dispositif est adapté pour une utilisation comme applications de commutateur de charge.
Remarque :