• AO3415A MOSFET P-CH 20V 5A
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AO3415A MOSFET P-CH 20V 5A

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fabricant: AOS
d/c: 22+

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
AO3415A
package
sot23
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542390000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

AO3415A :   canal P 20 V 5 a (Ta) 1,5 W (Ta) montage en surface SOT-23-3

MFR. Référence : AO3415A

MFR. : AOS

Fiche technique :  AO3415A Trans MOSFET P-CH 20V 5A(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  AO3415A Trans MOSFET P-CH 20V 5A

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

État du produit
Pas pour les nouvelles conceptions
 
Type FET
Canal P.
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
5 a (Ta)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
1,5 V, 4,5 V.
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 4 a, 4,5 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
900 mV @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
11 NC @ 4.5 V.
 
VGS (max.)
±8 V.
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
940 pF @ 10 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
1,5 W (Ta)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Package de périphérique fournisseur
SOT-23-3
 
Emballage/caisse
3-SMD, SOT-23-3 variante
 
Numéro de produit de base
AO34




Le modèle AO3415A utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un RDS(ON) excellent, une charge de grille faible et un fonctionnement avec des tensions de grille aussi basses que 1,8 V. Ce dispositif est adapté pour une utilisation comme applications de commutateur de charge.










AO3415A Trans MOSFET P-CH 20V 5A


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