shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fabricant: | AOS |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
AO4459 : canal P 30 V 6,5A (Ta) 3,1W (Ta) montage en surface 8-SOIC
MFR. N° de pièce : AO4459
MFR. : AOS
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
État du produit
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Pas pour les nouvelles conceptions
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Type FET
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Canal P.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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30 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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6,5A (Ta)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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4,5V, 10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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46 mOhm @ 6,5A, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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2,5 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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16 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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830 pF @ 15 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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3,1 W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package de périphérique fournisseur
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8-SOIC
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Emballage/caisse
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8-SOIC (0.154", 3,90 mm de largeur)
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Numéro de produit de base
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AO44
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Le modèle AO4459 associe la technologie MOSFET de tranchée avancée à un boîtier à faible résistance pour fournir un RDS(ON) extrêmement faible. Ce dispositif est idéal pour les applications de commutation de charge et de protection de batterie
Remarque :