Diode barrière Schottky double 40-04LT1G 40 V 600 mA

• forme: hqfp64
• Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
• L′intégration: MSI
• Technique: Semiconductor IC
• fabricant: en demi-lune
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: BAS40-04LT1G
• package: sot23
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542390000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

BAS40-04LT1G :   barrette de diodes 1 paire connexion série 40 V 120 mA (CC) montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

MFR. Référence : BAS40-04LT1G

MFR. : ONSEMI

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

État du produit	Actif
Configuration de diode	Connexion série à 1 paire
Technologie	Schottky
Tension - inversion CC (VR) (max.)	40 V.
Courant - moyenne rectifiée (E/S) (par diode)	120 mA (CC)
Tension - avant (VF) (Max) à si	1 V @ 40 mA
Vitesse	Petit signal =< 200 mA (E/S), toutes vitesses
Courant - fuite inverse à VR	1 µA @ 25 V.
Température de fonctionnement - jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	BAS40

Ces diodes barrières Schottky sont conçues pour les applications de commutation à grande vitesse, la protection de circuit et le serrage de tension. Une tension directe extrêmement faible réduit la perte de conduction. Le boîtier miniature à montage en surface est excellent pour les applications portables et portables où l'espace est limité. Caractéristiques • vitesse de commutation extrêmement rapide • faible tension directe • préfixe S pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle ; certifié AEC−Q101 et compatible PPAP • ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène ni BFR et sont conformes à la directive RoHS

 

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