BTS723GW Série 58V 105mOhm Interrupteur de puissance intelligent à haute côté IC

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
Intégration: MSI
Société Commerciale
Membre Diamant Depuis 2018

Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées

Fournisseur Audité

Audité par une agence d'inspection indépendante

Capital Social
100000 RMB
Surface de l'Usine
<100 Mètres Carrés
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Info de Base.

N° de Modèle.
BTS723GW
Techniques
Circuit intégré semi-conducteur
fabricant
infineon
d/c
22+
package
soic14
qualité
original neuf
forme
hqfp64
Paquet de Transport
boîte
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
100 000 pièces

Description de Produit

Description

BTS723GW :  interrupteur d'alimentation/Pilote 1:1 N-channel 2.5A PG-ASM-14-37

Mfr. La partie N° : BTS723GW

Mfr. : Infineon

Fiche technique :  BTS723GW Series 58V 105mOhm Smart High-Side Power Switch IC(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  BTS723GW Series 58V 105mOhm Smart High-Side Power Switch IC

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an




 

Le statut du produit
Actif
 
Le type de commutateur
A usage général
 
Nombre de sorties
2
 
- Entrée:sortie de rapport
1:1
 
Configuration de sortie
Du côté haut
 
Type de sortie
N-canal
 
L'interface
On/Off
 
- Charge de tension
7V ~ 58V
 
- Alimentation de tension (Vcc/DMV)
Non requis
 
- Sortie de courant (max.)
2.5A
 
Rds de (Typ)
90MOhm
 
Type d'entrée
Non-Inverting
 
Fonctionnalités
Drapeau d'état
 
Protection contre les défaillances
Limiter le courant (fixe), charge ouverte détecter, au cours de la température, de surtension
 
La température de fonctionnement
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Emballage du dispositif de fournisseur
PG-ASM-14-37
 
Package / cas
14-SOIC (0,154", 3.90mm de largeur)
 
Numéro de produit de base
BTS723
 


La cinquième génération d'International Rectifier HEXFETs utilisent des techniques avancées de traitement d'atteindre extrêmement faible résistance par zone de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et de conception des appareils robustes que les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus pour, fournit le concepteur avec un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le SO-8 a été modifié par le biais d'un leadframe personnalisé pour l'amélioration des caractéristiques thermiques et de capacité de plusieurs meurent le rendant idéal dans une variété d'applications de puissance. Avec ces améliorations, de multiples périphériques peuvent être utilisés dans une application avec considérablement réduit l'espace carte. Le package est conçu pour une phase vapeur, infrarouge ou techniques de soudage d'onde. La dissipation de puissance supérieure à 0,8 W est possible dans une application typique de montage sur CI










BTS723GW Series 58V 105mOhm Smart High-Side Power Switch IC


BTS723GW Series 58V 105mOhm Smart High-Side Power Switch IC


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