Personnalisation: | Disponible |
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Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
Intégration: | MSI |
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Demande d'Échantillon
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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
CSD18563Q5A : MOSFET Trans N-CH Si 60V 100A à 8 broches VSONP EP T/R
Mfr. La partie N° : CSD18563Q5A
Mfr. : TI
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
RoHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Le statut du produit
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Actif
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Type de transistor FET
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N-canal
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La technologie
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Le MOSFET (Metal Oxide)
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Vidanger à la source de tension (Vdss)
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60 V
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- Courant continu (ID) de vidange @ 25°C
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100A (Ta)
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Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
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4,5V, 10V
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Rds de (Max) @ Id, VGS
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6.8MOhm @ 18A, 10V
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Vgs(th) (max.) @ Id
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2,4 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
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20 nC @ 10 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
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1500 pF @ 30 V
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Fonctionnalité de FET
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-
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La dissipation de puissance (maxi)
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3,2 W (Ta), 116W (TC)
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La température de fonctionnement
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Emballage du dispositif de fournisseur
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8-VSONP (5x6)
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Package / cas
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8-PowerTDFN
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Numéro de produit de base
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CSD18563
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Avis :