CUS08F30,H3F Diode petit signal Schottky si composants électroniques 30 V.

• shape: Flat
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• fabricant: toshiba
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: CUS08F30,H3F
• package: sod323
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542399000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

CUS08F30,H3F :  diode 30 V 800mA USC à montage en surface

MFR. N° de pièce : CUS08F30, H3F

MFR. : TOSHIBA

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN



 

Produit :	Diodes Schottky
Type de montage :	CMS/CMS
Emballage/caisse :	SOD-323-2
Configuration :	Simple
Technologie :	Si
IF - courant de marche avant :	800 mA
Vrrm - tension inverse répétitive :	30 V.
VF - tension directe :	400 mV
Ifsm - courant de surtension avant :	5 A.
IR - courant inverse :	50 UA
Température de fonctionnement maximale :	+ 125 C.
Série :	CUS08F30
Emballage :	Rabatteur
Emballage :	Couper le ruban
Marque :	Toshiba
Type de produit :	Diodes et redresseurs Schottky
Quantité de l'emballage d'usine :	3000
Sous-catégorie :	Diodes et redresseurs
VR - tension inverse :	30 V.
Poids de l'unité :	0.000353 oz

 

Applications • Commutation à haute vitesse


Caractéristiques (1) faible tension directe : VF(3) = 0.40 V (typique) (2) progiciel universel USC, équivalent aux packages SOD-323 et SC-76.

 

Considérations d'utilisation • les diodes de barrière Schottky (SBD) présentent une fuite inverse supérieure à celle des autres types de diodes. Les SMD sont ainsi plus sensibles aux variations thermiques en cas de températures et de tensions élevées. Ainsi, les pertes de puissance avant et arrière des SMD doivent être prises en compte pour la conception thermique et de sécurité.

 

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Remarque :

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