DMC2038LVT MOSFET-7 trans N/P-CH 20V

• forme: SMD
• Conductive type: Unipolaires Integrated Circuit
• L′intégration: MSI
• Technique: Semiconductor IC
• fabricant: diodes
• d/c: 17+
• N° de Modèle.: DMC2038LVT-7
• package: tsot-26
• qualité: original neuf
• catapulte: mosfet
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542390000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

DMC2038LVT-7:   famille FPGA Spartan-6 LX 9152 cellules (45 nm) de la technologie CMOS 1, 2 V 324-broche CS-BGA  

Paquet: TSOT-26

Mfr. La partie N°: DMC2038LVT-7

Les diodes de Mfr.:
Fiche technique:   (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

RoHS État:  

Qualité: 100% d'origine

Garantie: 180 jours


Ce transistor MOSFET a été conçu pour minimiser la résistance à l'état (RDS(ON)) et encore de maintenir les performances de commutation supérieure, le rendant idéal pour les applications de gestion de puissance haute efficacité.

Fonctionnalités clés

• Faible On-Resistance
• Faible capacité d'entrée
• Vitesse de commutation rapide
• Faible fuite d'entrée/sortie
• Vitesse de commutation rapide
• Totalement et entièrement compatible RoHS sans plomb
• Halogène et de l'antimoine libre. Dispositif de " Vert "
• Qualifié pour les normes AEC-Q101 pour une fiabilité élevée

 

Statut de partie	Actif
Type de transistor FET	N et P-canal
Fonctionnalité de FET	Porte de niveau logique
Vidanger à la source de tension (Vdss)	20V
- Courant continu (ID) de vidange @ 25°C	3.7A, 2.6A
Rds de (Max) @ Id, VGS	35 mOhm @ 4A, 4, 5V
Vgs(th) (max. ) @ Id	1V @ 250 µA
Charge de grille (QG) (max. ) @ VGS	17nC @ 10V
Capacité d'entrée (CISS) (max. ) @ VDS	530pF @ 10V
Alimentation - Max	800 mW
La température de fonctionnement	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Package / cas	SOT-23-6-23-6 mince, TSOT
Emballage du dispositif de fournisseur	TSOT-26

 

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