DS2431P DS2431P+T&R EEPROM IC 1KBIT 1-WIRE 6TSOC

• Personnalisation: Disponible
• Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
• Intégration: MSI
• N° de Modèle.: DS2431P+T&R
• Techniques: Circuit intégré semi-conducteur
• fabricant: maxim
• d/c: 20+
• package: tock6
• qualité: original neuf
• forme: cms
• Paquet de Transport: boîte
• Origine: Chine
• Code SH: 8542390000
• Capacité de Production: 100 000 pièces

Description de Produit

Description

DS2431P+T&R :  EEPROM série-1Wire 1K-bit 4pages x 256 3,3V/5V TSOC T/R 6 broches

Paquet: TSOC6

MFR. N° DE PIÈCE : DS2431P+T&R.

MFR. : MAXIM

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État RoHS :  

Qualité: 100% original

Garantie: 180 jours

Le DS2431 est une puce EEPROM 1024 bits à 1 fil, organisée en quatre pages mémoire de 256 bits chacune. Les données sont écrites dans un bloc-notes de 8 octets, vérifiées, puis copiées dans la mémoire EEPROM. En tant que caractéristique spéciale, les quatre pages de mémoire peuvent être protégées en écriture ou mises en mode d'émulation EPROM, où les bits peuvent uniquement être changés d'un état 1 à un état 0. Le DS2431 communique sur le bus à 1 conducteur. La communication suit le protocole standard à 1 fil. Chaque périphérique possède son propre numéro d'enregistrement de ROM 64 bits unique et inaltérable, qui est intégré en usine à la puce. Le numéro d'enregistrement est utilisé pour adresser le périphérique dans un environnement réseau multidrop à 1 fil.

Principales caractéristiques

• Ajoutez facilement des informations de traçabilité et pertinentes à n'importe quel système
  • 1024 bits de mémoire EEPROM partitionnés en quatre pages de 256 bits
  • Les pages de mémoire individuelles peuvent être protégées par PermanentlyWrite ou placées Mode d'émulation EPROM (écriture sur 0)
  • Hystérésis de point de commutation et filtrage vers OptimizePerformance en présence de Bruit
• L'interface minimaliste à 1 fil réduit les coûts et la complexité de l'interface
  • IEC 1000-4-2 protection ESD niveau 4 (±contact de 8 kV, ±15 kV dans l'air, typique)
  • Lecture et écriture sur une large plage de tension de 2,8V à 5,25 V de -40°C à +85°C.
  • Communique avec l'hôte avec un signal numérique unique à 15,4 Kbit/s. ou 125 kbit/s.

 

 

Statut de la pièce	Actif
Type de mémoire	Non volatile
Format de mémoire	EEPROM
Technologie	EEPROM
Taille de la mémoire	1 Ko (256 x 4)
Interface mémoire	1-fil®
Durée du cycle d'écriture - Word, page	-
Tension - alimentation	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	6-LSOJ (0.148", 3,76 mm de largeur)
Package de périphérique fournisseur	6-TSOC
Temps d'accès	2 µs

 

Gamme de produits de la société

 

Certificats



Détails de l'emballage du produit

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