FM24CL64B-GTR FRAM 64Kbit Serial-2Wire Circuit intégré d′interface

• Personnalisation: Disponible
• Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
• Intégration: MSI
• N° de Modèle.: FM24CL64B-GTR
• Techniques: Circuit intégré semi-conducteur
• fabricant: cyprès
• d/c: 22+
• package: soic8
• qualité: original neuf
• forme: plat
• Paquet de Transport: boîte
• Origine: Chine
• Code SH: 8542399000
• Capacité de Production: 100 000 pièces

Description de Produit

Description

FM24CL64B-GTR :  FRAM (RAM Ferroélectrique) mémoire IC 64 Kbits I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC

MFR. N° de pièce : FM24CL64B-GTR

Fabricant : OMRON

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

État du produit	Actif
Type de mémoire	Non volatile
Format de mémoire	FRAM
Technologie	FRAM (RAM ferromélectrique)
Taille de la mémoire	64 kbit
Organisation de la mémoire	8K x 8
Interface mémoire	I²C
Fréquence d'horloge	1 MHz
Durée du cycle d'écriture - Word, page	-
Temps d'accès	550 ns
Tension - alimentation	2,7 V ~ 3,65 V.
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	8-SOIC (0.154", 3,90 mm de largeur)
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FM24CL64

Le FM24CL64B est une mémoire non volatile de 64 Kbits utilisant un procédé ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferromoélectrique ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il assure une rétention des données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les problèmes de complexité, de surcharge et de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à l'EEPROM, le FM24CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans la matrice de mémoire immédiatement après le transfert de chaque octet vers le périphérique. Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interrogation des données. En outre, le produit offre une endurance en écriture importante par rapport à d'autres mémoires non volatiles. De plus, la F-RAM présente une puissance beaucoup plus faible pendant les écritures que l'EEPROM, car les opérations d'écriture ne nécessitent pas de tension d'alimentation élevée interne pour les circuits d'écriture. Le FM24CL64B est capable de prendre en charge 1014 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de cycles d'écriture plus nombreux que l'EEPROM. Ces capacités font du FM24CL64B l'outil idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le temps d'écriture long de l'EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctions permet une écriture plus fréquente des données avec moins de temps système. Le FM24CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs de l'EEPROM série (I2C) en remplacement matériel. Les spécifications de l'appareil sont garanties sur une plage de température industrielle de -40 ºC à +85 ºC.

 

 

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