L′IRF630MOSFET NPBF N-CH 200V 9.3A à220AB

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
Intégration: MSI
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Info de Base

N° de Modèle.
IRF630NPBF
Techniques
Circuit intégré semi-conducteur
fabricant
infineon
d/c
22+
package
to-220
qualité
original neuf
forme
hqfp64
Paquet de Transport
boîte
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
100 000 pièces

Description de Produit

Description

L'IRF630NPBF : N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (TC) à travers le trou d'-220AB

Mfr. La partie# : l'IRF630NPBF

Mfr. : Infineon

Fiche technique :  IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an



 

Paquet
Le tube
 
Le statut du produit
Actif
 
Type de transistor FET
N-canal
 
La technologie
Le MOSFET (Metal Oxide)
 
Vidanger de source de tension (Vdss)
200 V
 
- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
9.3A (TC)
 
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
10V
 
Rds de (Max) @ Id, VGS
300mOhm @ 5.4A, 10V
 
Vgs(th) (max.) @ Id
4V @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
35 nC @ 10 V
 
Vgs (max.)
±20V
 
Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
575 pF @ 25 V
 
Fonctionnalité de FET
-
 
La dissipation de puissance (maxi)
82W (TC)
 
La température de fonctionnement
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
 
Type de montage
À travers le trou
 
Emballage du dispositif de fournisseur
D'-220AB
 
Package / cas
D'-220-3
 
Numéro de produit de base
L'IRF630


 


La cinquième génération MOSFET de puissance HEXFET® de International Rectifier utilisent des techniques avancées de traitement d'atteindre extrêmement faible résistance par zone de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et de conception des appareils robustes que les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus pour, fournit le concepteur avec un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le package TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciaux-industriels à des niveaux de dissipation de puissance à environ 50 watts. La faible résistance thermique et à faible coût de l'emballage d'-220 contribuent à sa large acceptation tout au long de l'industrie. Le D2PAK est un paquet d'alimentation à montage en surface capable d'accueillir die tailles jusqu'à hex-4. Il offre la plus grande capacité d'alimentation et le plus bas possible dans toute Onresistance paquet de montage en surface existante. Le D2PAK est adapté pour les applications à courant élevé en raison de sa faible résistance et de connexion interne peut dissiper jusqu'à 2,0 W dans une application typique de montage en surface. La version à montage traversant (FRI630NL) est disponible pour l'application Lowprofile.











IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB


IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB


IRF630NPBF MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

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