IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

• forme: hqfp64
• Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
• L′intégration: MSI
• Technique: Semiconductor IC
• fabricant: infineon
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: IRF7341TRPBF
• package: soic8
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542399000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

IRF7341TRPBF :  barrette MOSFET 55V 4,7A 8-SO à montage en surface

MFR. N° de pièce : IRF7341TRPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN


 

État du produit	Actif
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Seuil de niveau logique
Tension de vidange à la source (Vdss)	55V
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.	4.7A
RDS activé (max.) @ ID, Vgs	50 Mohm @ 4,7 a, 10 V.
VGS(th) (Max) @ ID	1 V @ 250 µA
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs	36 °C @ 10 V.
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS	740 pF @ 25 V.
Puissance - max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	8-SOIC (0.154", 3,90 mm de largeur)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRF734

Les HEXFET de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'activation extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le SO-8 a été modifié grâce à un cadre de connexion personnalisé pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité de matrice multiple, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications d'alimentation. Grâce à ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans une application avec un espace de carte considérablement réduit. Le boîtier est conçu pour les techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague. Une dissipation de puissance supérieure à 0,8 W est possible dans une application type à montage sur ci

 

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