MOSFET IRFP260NPBF N-CH 200V 50A TO247AC

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
Intégration: MSI
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Info de Base

N° de Modèle.
IRFP260NPBF
Techniques
Circuit intégré semi-conducteur
fabricant
infineon
d/c
22+
package
to-247
qualité
original neuf
forme
hqfp64
Paquet de Transport
boîte
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
100 000 pièces

Description de Produit

Description

IRFP260NPBF :  canal N 200 V 50A (TC) 300W (TC) montage traversant TO-247AC

MFR. Référence : IRFP260NPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN




 

Package
Tube
 
État du produit
Actif
 
Type FET
Canal N
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
50 a (TC)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
10V
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 28 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
4 V @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
234 NC @ 10 V.
 
VGS (max.)
±20 V.
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
4057 pF @ 25 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
300 W (TC)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
 
Type de montage
Trou traversant
 
Package de périphérique fournisseur
TO-247AC
 
Emballage/caisse
TO-247-3
 
Numéro de produit de base
IRFP260

 

Les HEXFET de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une très faible résistance par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier TO-247 est préféré pour les applications commerciales-industrielles où des niveaux de puissance plus élevés empêchent l'utilisation de dispositifs TO-220. Le TO-247 est similaire mais supérieur à l'ancien boîtier TO-218 en raison de son trou de montage isolé.












IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC


IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC


IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

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