Personnalisation: | Disponible |
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Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
Intégration: | MSI |
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Demande d'Échantillon
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Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
IRFP260NPBF : canal N 200 V 50A (TC) 300W (TC) montage traversant TO-247AC
MFR. Référence : IRFP260NPBF
MFR. : INFINEON
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
Package
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Tube
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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200 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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50 a (TC)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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40 mOhm @ 28 a, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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4 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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234 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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4057 pF @ 25 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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300 W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Trou traversant
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Package de périphérique fournisseur
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TO-247AC
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Emballage/caisse
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TO-247-3
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Numéro de produit de base
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IRFP260
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Les HEXFET de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une très faible résistance par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier TO-247 est préféré pour les applications commerciales-industrielles où des niveaux de puissance plus élevés empêchent l'utilisation de dispositifs TO-220. Le TO-247 est similaire mais supérieur à l'ancien boîtier TO-218 en raison de son trou de montage isolé.
Remarque :