Personnalisation: | Disponible |
---|---|
Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
Intégration: | GSI |
Vous hésitez encore ? Obtenez des échantillons $ !
Commande d'Échantillons
|
Frais de livraison: | Contactez le fournisseur au sujet du fret et du délai de livraison estimé. |
---|
Modes de Paiement: |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
---|---|
Paiements de soutien en USD |
Paiements sécurisés: | Chaque paiement que vous effectuez sur Made-in-China.com est protégé par la plateforme. |
---|
Politique de remboursement: | Réclamez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est manquante ou arrive avec des problèmes de produit. |
---|
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Audité par une agence d'inspection indépendante
IRFP460APBF : MOSFET de puissance à montage sur platine 500 V 0.27 ohms simple canal N - TO-247
MFR. Référence : IRFP460APBF
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
Technologie : | Si |
Type de montage : | Trou traversant |
Emballage/caisse : | TO-247-3 |
Polarité du transistor : | Canal N |
Nombre de canaux : | 1 canal |
VDS - tension de rupture de la source de vidange : | 500 V. |
ID - courant de vidange continu : | 20 A. |
RDS on - résistance de la source de drainage : | 270 mOhms |
VGS - tension de la source de la porte : | - 30 V, + 30 V. |
VGS TH - tension seuil de la source de porte : | 2 V. |
QG - charge de grille : | 105 NF |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C. |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 C. |
PD - dissipation de puissance : | 280 W |
Mode canal : | Amélioration |
Série : | IRFP |
Emballage : | Tube |
Marque : | Vishay semiconducteurs |
Configuration : | Simple |
Temps de chute : | 39 ns |
Transconductance directe - min : | 11 S |
Hauteur : | 20.82 mm |
Longueur : | 15.87 mm |
Type de produit : | MOSFET |
Temps de montée : | 55 ns |
Quantité de l'emballage d'usine : | 500 |
Sous-catégorie : | MOSFET |
Type de transistor : | 1 canal N |
Délai de mise hors tension type : | 45 ns |
Délai de mise sous tension type : | 18 ns |
Largeur : | 5.31 mm |
Poids de l'unité : | 0.211644 oz |
Certificats
Détails de l'emballage du produit
Pourquoi nous choisir
Remarque :