Personnalisation: | Disponible |
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Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
Intégration: | GSI |
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IRFP9240PBF : MOSFET P-CH 200V 12A à247-3
Mfr. La partie N° : IRFP9240PBF
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
Compatible ROHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Statut de partie
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Actif
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Type de transistor FET
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Canal P
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La technologie
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Le MOSFET (Metal Oxide)
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Vidanger de source de tension (Vdss)
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200 V
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- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
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12A (TC)
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Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
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10V
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Rds de (Max) @ Id, VGS
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7.2A 500mOhm @, 10V
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Vgs(th) (max.) @ Id
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4V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
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44 nC @ 10 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
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1200 pF @ 25 V
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Fonctionnalité de FET
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-
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La dissipation de puissance (maxi)
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150 W (TC)
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La température de fonctionnement
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Grade
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-
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La qualification
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-
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Type de montage
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À travers le trou
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Emballage du dispositif de fournisseur
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D'-247AC
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Package / cas
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D'-247-3
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Numéro de produit de base
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IRFP9240
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Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent le Concepteur avec la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception des appareils robustes, faible résistance et le coût-efficacité. Le paquet à-247AC est préféré pour les applications commerciaux-industriels où les niveaux de puissance supérieur empêchent l'utilisation de dispositifs à-220AB. L'-247AC est similaire mais supérieure à la plus tôt à-218 package en raison de son trou de montage isolé. Il fournit également une plus grande ligne de fuite de la distance entre les broches de satisfaire aux exigences de la plupart des spécifications de sécurité.
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