• IRFR024NTRPBF MOSFET TRANS N-CH 55V 17A DPAK
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IRFR024NTRPBF MOSFET TRANS N-CH 55V 17A DPAK

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fabricant: INFINEON
D/c: 22+

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
IRFR024NTRPBF
package
to-252
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

IRFR024NTRPBF :  MOSFET N-CH si 55V 17A 3 broches (2+languette) DPAK T/R

MFR. N° de pièce : IRFR024NTRPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

État du produit
Actif
 
Type FET
Canal N
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
17 a (TC)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
10V
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 10 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
4 V @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
20 NC @ 10 V.
 
VGS (max.)
±20 V.
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
370 pF @ 25 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
45 W (TC)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Package de périphérique fournisseur
D-Pack
 
Emballage/caisse
TO-252-3, DPAK (2 dérivations + languette), SC-63
 
Numéro de produit de base
IRFR024

 

APPLICATION
Application • interrupteur d'alimentation avec retour de diagnostic de détection de courant pour les charges mises à la terre 12 V et 24 V CC • tous les types de charges résistives, inductives et capacitives • remplace les relais électromécaniques, les fusibles et les circuits discrets

 

Les HEXFET de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'activation extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier TO-220 est universellement recommandé pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût de conditionnement du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l'industrie
 












IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK


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