IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolaire 100V 1.6A 1.3W SOT23

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
Intégration: MSI
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Info de Base

N° de Modèle.
IRLML0100TRPBF
Techniques
Circuit intégré semi-conducteur
fabricant
infineon
d/c
22+
package
sot23
qualité
original neuf
forme
hqfp64
Paquet de Transport
boîte
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
100 000 pièces

Description de Produit

Description

IRLML0100TRPBF :  canal N 100 V 1,6A (Ta) 1,3W (Ta) montage en surface Micro3™/SOT-23

MFR. N° de pièce : IRLML0100TRPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

État du produit
Actif
 
Type FET
Canal N
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
1,6 a (Ta)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
4,5V, 10V
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 1,6 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
2,5 V @ 25 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
2.5 NC @ 4.5 V.
 
VGS (max.)
±16V
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
290 pF @ 25 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
1,3 W (Ta)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Package de périphérique fournisseur
Micro3™/SOT-23
 
Emballage/caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Numéro de produit de base
IRLML0100





Caractéristiques • canal N • mode d'épuisement • puissance nominale dv /dt • disponible avec indicateur V GS(th) sur bobine • sans plomb; conforme RoHS • sans halogène selon AEC61249-2-21 • qualifié selon AEC Q101










IRLML0100TRPBF Transistor N-MOSFET unipolar 100V 1.6A 1.3W SOT23


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