IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

• forme: hqfp64
• Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
• L′intégration: MSI
• Technique: Semiconductor IC
• fabricant: infineon
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: IRLML5203TRPBF
• package: sot-23
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Boîte
• Origine: Chine
• Code SH: 8542399000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

IRLML5203TRPBF :  canal P 30 V 3 a (Ta) 1,25 W (Ta) montage en surface Micro3™/SOT-23

MFR. N° de pièce : IRLML5203TRPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

État du produit	Actif
Type FET	Canal P.
Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension de vidange à la source (Vdss)	30 V.
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.	3 a (Ta)
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)	4,5V, 10V
RDS activé (max.) @ ID, Vgs	98 mOhm à 3 a, 10 V.
VGS(th) (Max) @ ID	2,5 V @ 250 µA
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs	14 NC @ 10 V.
VGS (max.)	±20 V.
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS	510 pF @ 25 V.
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25 W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Package de périphérique fournisseur	Micro3™/SOT-23
Emballage/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	IRLML5203

Ces MOSFET à canal P d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une résistance à l'activation extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans les applications de gestion de batterie et de charge. Un grand cadre de câble à coussin renforcé thermiquement a été intégré dans le boîtier SOT-23 standard pour produire un MOSFET de puissance HEXFET avec le plus petit encombrement du secteur. Ce kit, appelé Micro3TM, est idéal pour les applications où l'espace sur les cartes de circuits imprimés est important. Le profil bas (<1,1 mm) du Micro3 lui permet de s'adapter facilement à des environnements d'application extrêmement fins tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMCIA. La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les meilleures disponibles.

 

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