forme: | hqfp64 |
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Conductive type: | Circuit intégré bipolaire, |
L′intégration: | MSI |
Technique: | Semiconductor IC |
fabricant: | infineon |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
IRLR024NTRPBF : D-Pak à montage en surface 55 V 17A (TC) 45 W (TC) canal N
MFR. N° de pièce : IRLR024NTRPBF
MFR. : INFINEON
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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55 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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17 a (TC)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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4 V, 10 V.
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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65 mOhm @ 10 a, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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2 V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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15 NC @ 5 V.
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VGS (max.)
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±16V
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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480 pF @ 25 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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45 W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package de périphérique fournisseur
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D-Pack
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Emballage/caisse
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TO-252-3, DPAK (2 dérivations + languette), SC-63
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Numéro de produit de base
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IRLR024
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Les MOSFET de puissance HEXFET® de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre la plus faible résistance possible par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception de circuit robuste pour lesquelles les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-PAK est conçu pour un montage en surface utilisant des techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague. La version à câble droit (série IRFU) est destinée aux applications de montage traversant. Des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à 1.5 watts sont possibles dans les applications de montage en surface typiques.
Remarque :