• MOSFET TRPBF IRLR3410N-CH 100V 17A DPAK
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MOSFET TRPBF IRLR3410N-CH 100V 17A DPAK

forme: hqfp64
Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
L′intégration: MSI
Technique: Semiconductor IC
fabricant: infineon
d/c: 22+

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
IRLR3410TRPBF
package
to-252
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

IRLR3410TRPBF :  N-chenal 100 V 17A (Tc) 79W (TC) D-Pak à montage en surface

Mfr. La partie N° : IRLR3410TRPBF

Mfr. : Infineon

Fiche technique :  IRLR3410TRPBF MOSFET N-CH 100V 17A DPAK(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  IRLR3410TRPBF MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an
 

Le statut du produit
Actif
 
Type de transistor FET
N-canal
 
La technologie
Le MOSFET (Metal Oxide)
 
Vidanger de source de tension (Vdss)
100 V
 
- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
17A (TC)
 
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
4V, 10V
 
Rds de (Max) @ Id, VGS
105mOhm @ 10A, 10V
 
Vgs(th) (max.) @ Id
2V @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
34 nC @ 5 V
 
Vgs (max.)
±16V
 
Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
800 pF @ 25 V
 
Fonctionnalité de FET
-
 
La dissipation de puissance (maxi)
79W (TC)
 
La température de fonctionnement
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Emballage du dispositif de fournisseur
D-Pak
 
Package / cas
D'DPak-252-3, (2 fils + Tab), SC-63
 
Numéro de produit de base
IRLR3410
 





La cinquième génération d'International Rectifier HEXFETs utilisent des techniques avancées de traitement pour atteindre le plus bas possible sur-résistance par zone de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et de conception des appareils robustes que les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus pour, fournit le concepteur avec un appareil extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-Pak est conçu pour montage en surface à l'aide de la phase vapeur, infrarouge ou techniques de soudage d'onde. La version de plomb (IRFU droites série) est pour les applications de montage Throughhole. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans les applications de montage en surface typique.




IRLR3410TRPBF MOSFET N-CH 100V 17A DPAK


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