• TRANSISTOR MOSFET TRPBF À CANAL N 30 V 86A IRLR8726TRPBF
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TRANSISTOR MOSFET TRPBF À CANAL N 30 V 86A IRLR8726TRPBF

forme: hqfp64
Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
L′intégration: MSI
Technique: Semiconductor IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Digital / Analog IC

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Info de Base.

N° de Modèle.
IRLR8726TRPBF
fabricant
INFINEON
D/c
22+
package
to-252
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

IRLR8726TRPBF :  MOSFET N-CH 30 V 86A DPAK

MFR. Référence : IRLR8726TRPBF

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  IRLR8726TRPBF N-CHANNEL 30V 86A TRANS MOSFET(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  IRLR8726TRPBF N-CHANNEL 30V 86A TRANS MOSFET

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

État du produit
Actif
 
Type FET
Canal N
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
86A (TC)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
4,5V, 10V
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
5,8 mOhm à 25 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
2,35 V @ 50 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
23 NC @ 4.5 V.
 
VGS (max.)
±20 V.
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
2150 pF @ 15 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
75 W (TC)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Package de périphérique fournisseur
D-Pack
 
Emballage/caisse
TO-252-3, DPAK (2 dérivations + languette), SC-63
 
Numéro de produit de base
IRLR8726

 

APPLICATION
Convertisseurs abaisseurs synchrones haute fréquence pour la puissance de processeur d'ordinateur Convertisseurs CC-CC isolés haute fréquence avec redressement synchrone pour télécommunications Et utilisation industrielle

 

Les HEXFET de cinquième génération d'International rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'activation extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier TO-220 est universellement recommandé pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût de l'emballage du TO220 contribuent à sa large acceptation dans l'industrie.

 












IRLR8726TRPBF N-CHANNEL 30V 86A TRANS MOSFET


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