• IRS2184STRPBF driver igbt MOSFET DEMI-BRIDG
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IRS2184STRPBF driver igbt MOSFET DEMI-BRIDG

Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Mounting Type: SMT
Operating Temperature: -40℃ - 85℃
Shape: Flat
Technics: Semiconductor IC

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Info de Base.

N° de Modèle.
IRS2184STRPBF
fabricant
infineon
d/c
22+
package
soic8
qualité
original neuf
état du produit
actif
Paquet de Transport
Box
Spécifications
electronic components
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

description

IRS2184STRPBF :   interface de capteur préc. Vltg-to-Crnt Conv/Transmitter

MFR. N° de pièce : IRS2184STRPBF

Fiche technique :  IRS2184STRPBF Gate Drivers HALF-BRIDG mosfet igbt driver IC(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  IRS2184STRPBF Gate Drivers HALF-BRIDG mosfet igbt driver IC

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

 
Produit : IGBT, commandes de grille MOSFET
Type : Demi-pont
Type de montage : CMS/CMS
Emballage/caisse : SOIC-8
Nombre de pilotes : 2 pilote
Nombre de sorties : 2 sortie
Courant de sortie : 1.9 A.
Tension d'alimentation - min : 10 V.
Tension d'alimentation - Max : 20 V.
Temps de montée : 60 ns
Temps de chute : 35 ns
Température de fonctionnement minimale : - 40 C.
Température de fonctionnement maximale : + 125 C.
Emballage : Rabatteur
Emballage : Couper le ruban
Marque : Infineon technologies
Caractéristiques : Synchrone
Hauteur : 1.5 mm
Longueur : 5 mm
Type logique : CMOS, TTL
Délai de mise hors tension maximal : 270 ns
Délai de mise sous tension maximal : 680 ns
Sensible à l'humidité : Oui
Courant d'alimentation de fonctionnement : 1.6 mA
PD - dissipation de puissance : 625 mW
Type de produit : Commandes de grille
Délai de propagation - Max : 900 ns
Quantité de l'emballage d'usine : 2500
Sous-catégorie : PMIC - circuits intégrés de gestion de l'alimentation
Technologie : Si
Largeur : 4 mm
Poids de l'unité : 0.019048 oz



  
Les IRS2184/IRS21844 sont des drivers de MOSFET et IGBT haute tension et haute vitesse avec des canaux de sortie référencés côté haut et bas dépendants. Les technologies propriétaires de CMOS à immunité HVIC et LATCH permettent une construction monolithique renforcée. L'entrée logique est compatible avec la sortie CMOS ou LSTTL standard, logique jusqu'à 3,3 V. Les drivers de sortie sont dotés d'un étage de tampon à courant d'impulsion élevé conçu pour une conduction transversale minimale. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un MOSFET de puissance à canal N ou un IGBT dans la configuration côté haut qui fonctionne jusqu'à 600 V.




 
 
 


 


IRS2184STRPBF Gate Drivers HALF-BRIDG mosfet igbt driver IC


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Certificats

IRS2184STRPBF Gate Drivers HALF-BRIDG mosfet igbt driver IC

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Détails de l'emballage du produit

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