Description
K4A4G165WF-BCTD : puce DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1,2V FBGA 96 broches
MFR. Référence : K4A4G165WF-BCTD
MFR. :
Fiche technique : 
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État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
| RoHS européenne |
Conforme |
| ECCN (ÉTATS-UNIS) |
EAR99 |
| Statut de la pièce |
Actif |
| SYSTÈME HOME CINÉMA |
8542.32.00.36 |
| Automobile |
Non |
| PPAP |
Non |
| Type de DRAM |
SDRAM DDR4 |
| Densité de puce (bit) |
4G |
| Organisation |
256 Mx16 |
| Nombre de banques internes |
16 |
| Nombre de mots par banque |
16M |
| Nombre de bits/mot (bit) |
16 |
| Largeur du bus de données (bit) |
16 |
| Fréquence d'horloge maximale (MHz) |
2666 |
| Type d'interface |
BOÎTIER |
| Température de fonctionnement minimale (°C) |
0 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) |
85 |
| Classe de température du fournisseur |
Commercial |
| Nombre de lignes d'E/S (bit) |
16 |
| Montage |
Montage en surface |
| Hauteur du paquet |
0.98 (max.) |
| Largeur du paquet |
10.3 |
| Longueur du package |
13.3 |
| PCB modifié |
96 |
| Nom du package standard |
BGA |
| Package fournisseur |
FBGA |
| Nombre de broches |
96 |
| Forme de plomb |
Bille |
La matrice F SDRAM DDR4 de 4 Go est organisée en un périphérique 32 Mbit x 16 i/OS x 8 banques. Ce dispositif synchrone permet d'atteindre des taux de transfert de données double haut débit allant jusqu'à 3200 Mbit/s/broche (DDR4-3200) pour les applications générales. La puce est conçue pour répondre aux principales caractéristiques de la SDRAM DDR4 suivantes, telles que le cas affiché, la CWL programmable, l'étalonnage interne (auto), la terminaison sur matrice à l'aide d'une broche ODT et la réinitialisation asynchrone. Toutes les entrées de commande et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles fournies en externe. Les entrées sont verrouillées au niveau de la croix des horloges différentielles (CK Rising et CK Falling). Toutes les E/S sont synchronisées avec une paire de strosbes bidirectionnels (DQS et DQS) de manière synchrone à la source. Le bus d'adresses est utilisé pour transmettre les informations d'adresses de ligne, de colonne et de banque dans un style de multiplexage RAS/cas. Le dispositif DDR4 fonctionne avec une alimentation simple 1,2 V (1,14 V~1,26 V), 1,2 V (1,14 V~1,26 V) VDDQ et 2,5 V (2,375 V~2,75 V) VPP. Le dispositif F-Die DDR4 4 4 de 4 Go est disponible en FBGAS 96 billes (x16).
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