forme: | hqfp64 |
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Conductive type: | Circuit intégré bipolaire, |
L′intégration: | MSI |
Technique: | Semiconductor IC |
fabricant: | fujitsu |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 : FRAM (mémoire RAM ferroélectrique) IC 64 Kbit I²C 8 de 1 MHz-SOP
Mfr. La partie N° : Mo85RC64VPNF-G-JNERE1
Mfr. : FUJITSU
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
Compatible ROHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Type de mémoire
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Non-Volatile
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Format de mémoire
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FRAM
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La technologie
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FRAM (RAM ferroélectrique)
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Taille de la mémoire
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64Kbit
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Organisation de la mémoire
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8K x 8
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Interface de la mémoire
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I²C
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Fréquence d'horloge
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1 MHz
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Temps de cycle d'écriture - Word, à la page
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-
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- Alimentation de tension
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3V ~ 5,5 V
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La température de fonctionnement
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-40 °C ~ 85°C (TA)
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Type de montage
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Montage en surface
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Package / cas
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8-SOIC (0,154", 3.90mm de largeur)
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Emballage du dispositif de fournisseur
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8-SOP
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Numéro de produit de base
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MB85RC64
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Le MB85RC64V est un FeRAM (Random Access Memory) ferroélectrique puce dans une configuration de 8,192 mots x 8 bits, en utilisant le processus et le silicium ferroélectrique gate processus CMOS technologies pour la formation de la mémoire non volatile de cellules. Contrairement à la SRAM, le MB85RC64V est en mesure de conserver des données sans utiliser une batterie de sauvegarde des données. La lecture/écriture de l'endurance de la mémoire non volatile des cellules utilisées pour le Mo85RC64V a amélioré pour être au moins 1012 cycles, surpassant de façon significative d'autres produits de mémoire non volatile dans le numéro. Le MB85RC64V n'a pas besoin d'une séquence d'interrogation après avoir écrit à la mémoire comme dans le cas de la mémoire Flash ou E2PROM.
Avis :