forme: | hqfp64 |
---|---|
Conductive type: | Circuit intégré bipolaire, |
L′intégration: | MSI |
Technique: | Semiconductor IC |
Application: | Standard Generalized Integrated Circuit |
Type: | Digital / Analog IC |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
MJD50T4G : Trans NPN GP BJT 400V 1A à 3 broches(2+Tab) DPAK T/R
Mfr. La partie N° : MJD50T4G
Mfr. : sur
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
RoHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Attribut de produit | Attribut Valeur | Recherche similaires |
---|---|---|
Fabricant : | Onsemi | |
Catégorie de produit : | Les transistors bipolaires - BJT | |
RoHS : | Détails | |
Style de montage : | SMD/SMT | |
Package / cas : | D'-252-3 | |
Le transistor la polarité : | NPN | |
Configuration : | Seul | |
Tension de l'émetteur VCEO Collector- max : | 400 V | |
Tension de base VCBO Collector- : | 500 V | |
Tension de base VEBO émetteur- : | 5 V | |
Tension de saturation Collector-Emitter : | 1 V | |
Courant de collecteur CC maximum : | 1 A | |
Pd - Dissipation de puissance : | 15 W | |
Produit gain bande fT: | 10 MHz | |
Température minimale de fonctionnement : | - 65 C | |
Température maximale de fonctionnement : | + 150 C | |
Série : | MJD50 | |
Emballage : | Le rabatteur | |
Emballage : | Bande de coupe | |
Emballage : | MouseReel | |
Marque : | Onsemi | |
Courant de collecteur en continu : | 1 A | |
Collecteur de DC/Base Gain hfe Min : | 30 | |
Hauteur : | 2,38 mm | |
Longueur : | 6,73 mm | |
Type de produit : | Transistors bipolaires BJTs - | |
Pack d'usine Quantité : | 2500 | |
Sous-catégorie : | Les transistors | |
La technologie : | Si | |
Largeur : | 6.22 mm | |
Unité de poids : | 0.012381 oz |
Avis :