Transistor de hacheur JFET 25 V à canal P série MMBFJ177LT1G

• shape: hqfp64
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• fabricant: en demi-lune
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: MMBFJ177LT1G
• package: SOT23
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542390000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

MMBFJ177LT1G :   canal P JFET 30 V 225 mW, montage en surface SOT-23-3 (TO-236)

MFR. Référence : MBFJ177LT1G

MFR. : ONSEMI

Fiche technique :  (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

 

État du produit	Actif
Type FET	Canal P.
Tension - rupture (V(BR)GSS)	30 V.
Courant - drain (IDSS) @ VDS (Vgs=0)	1.5 mA à 15 V.
Tension - coupure (VGS désactivé) @ ID	800 mV à 10 Na
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS	11 pF @ 10 V (VGS)
Résistance - RDS(on)	300 ohms
Puissance - max	225 mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Emballage/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	MBFJ177

Caractéristiques • préfixe S pour applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle ; certifié AEC−Q101 et compatible PPAP • ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS

 

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