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Transistor MMBT4401LT1G NPN 40V 0,6A NPN commutation au silicium à montage en surface Transistor

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fabricant: en demi-lune
d/c: 22+

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Info de Base.

N° de Modèle.
MMBT4401LT1G
package
sot-23
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542390000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

MMBT4401LT1G :   transistor bipolaire (BJT) NPN 40 V 600 mA 250 MHz 300 mW montage en surface SOT-23-3 (TO-236)

MFR. N° de pièce : MMBT4401LT1G

MFR. : ONSEMI

Fiche technique :  MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

État du produit
Actif
 
Type de transistor
NPN
 
Courant - collecteur (IC) (max)
600 mA
 
Tension - rupture de l'émetteur du collecteur (max.)
40 V.
 
Saturation VCE (max.) à Ib, IC
750 mV à 50 mA, 500 mA
 
Courant - coupure du collecteur (max.)
-
 
Gain de courant c.c. (hFE) (min) à IC, VCE
100 @ 150 mA, 1 V.
 
Puissance - max
300 mW
 
Fréquence - transition
250 MHz
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Emballage/caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Package de périphérique fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
 
Numéro de produit de base
MMBT4401





Caractéristiques • préfixe S pour applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle ; certifié AEC−Q101 et compatible PPAP • ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS



MMBT4401LT1G TRANSISTOR NPN 40V 0.6A Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor


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