• Transistors thyristors MOSFET de puissance à mode d′amélioration de canal P NCE01P18K
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Transistors thyristors MOSFET de puissance à mode d′amélioration de canal P NCE01P18K

Type conducteur: Circuit intégré bipolaire
Intégration: MSI
Température de fonctionnement: -40℃ - 85℃
Forme: Plat
Techniques: Circuit intégré semi-conducteur
fabricant: non

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
NCE01P18K
d/c
22+
package
to-252
qualité
original neuf
état du produit
actif
Paquet de Transport
Boîte
Spécifications
electronic components
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

description

NCE01P18K  :   MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal P NCE

MFR. N° de pièce : NCE01P18K

Fiche technique :  NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN
 

  
 
 
Tension source de vidange (Vdss) 100 V.
Courant de vidange continu (ID) 18A
Source de vidange sur résistance (RDS(on)@Vgs,ID) 100 MΩ à 10 V, 16 A.
Dissipation de puissance (PD) 70 W.
Tension seuil de porte (Vgs(th)@ID) 3 V à 250 UA
Type 1Canal PCSPChannel
 


Le NCE01P18K utilise une technologie et une conception de tranchée avancées pour fournir un RDS(ON) excellent avec une faible charge de grille. Il peut être utilisé dans une grande variété d'applications. Il est protégé contre les décharges électrostatiques.


Application
Gestion de l'alimentation dans un ordinateur portable
Appareils portables et systèmes alimentés par batterie


 


NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors


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NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors







 



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Certificats

NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors

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Détails de l'emballage du produit

NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Thyristors Transistors

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