Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
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Intégration: | MSI |
Température de fonctionnement: | -40℃ - 85℃ |
Forme: | Plat |
Techniques: | Circuit intégré semi-conducteur |
fabricant: | non |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
NCE01P18K : MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal P NCE
MFR. N° de pièce : NCE01P18K
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
Tension source de vidange (Vdss) | 100 V. |
Courant de vidange continu (ID) | 18A |
Source de vidange sur résistance (RDS(on)@Vgs,ID) | 100 MΩ à 10 V, 16 A. |
Dissipation de puissance (PD) | 70 W. |
Tension seuil de porte (Vgs(th)@ID) | 3 V à 250 UA |
Type | 1Canal PCSPChannel |
Le NCE01P18K utilise une technologie et une conception de tranchée avancées pour fournir un RDS(ON) excellent avec une faible charge de grille. Il peut être utilisé dans une grande variété d'applications. Il est protégé contre les décharges électrostatiques.
Application
Gestion de l'alimentation dans un ordinateur portable
Appareils portables et systèmes alimentés par batterie
Certificats
Détails de l'emballage du produit
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Remarque :