forme: | Appartement |
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Conductive type: | Circuit intégré bipolaire, |
L′intégration: | MSI |
Technique: | Semiconductor IC |
Application: | Standard Generalized Integrated Circuit |
Type: | Digital / Analog IC |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Tr2309CDS-T1-GE3 : P-canal 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236)
Mfr. La partie N° : SI2309CDS-T1-GE3
Mfr. : Vishay
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
Compatible ROHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Le statut du produit
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Actif
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Type de transistor FET
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Canal P
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La technologie
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Le MOSFET (Metal Oxide)
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Vidanger de source de tension (Vdss)
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60 V
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- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
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1.6A (TC)
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Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
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4,5V, 10V
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Rds de (Max) @ Id, VGS
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345mOhm @ 1.25A, 10V
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Vgs(th) (max.) @ Id
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3V @ 250 µA
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Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
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4.1 nC @ à 4,5 V
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Vgs (max.)
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±20V
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Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
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210 pF @ 30 V
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Fonctionnalité de FET
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-
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La dissipation de puissance (maxi)
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1 W (Ta), 1.7W (TC)
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La température de fonctionnement
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Type de montage
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Montage en surface
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Emballage du dispositif de fournisseur
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SOT-23-3 (pour-236)
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Package / cas
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D'-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de produit de base
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Tr2309
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Avis :