• Tr2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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Tr2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

forme: Appartement
Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
L′intégration: MSI
Technique: Semiconductor IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Digital / Analog IC

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
SI2309CDS-T1-GE3
fabricant
VISHAY
D/c
22+
package
SOT23-3
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

Tr2309CDS-T1-GE3 :  P-canal 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) pour montage en surface SOT-23-3 (pour-236)

Mfr. La partie N° : SI2309CDS-T1-GE3

Mfr. : Vishay

Fiche technique :  SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an
 

 
Le statut du produit
Actif
 
Type de transistor FET
Canal P
 
La technologie
Le MOSFET (Metal Oxide)
 
Vidanger de source de tension (Vdss)
60 V
 
- Continu actuelle (ID) de vidange @ 25°C
1.6A (TC)
 
Tension d'entraînement (Max, Min RDS de RDS de)
4,5V, 10V
 
Rds de (Max) @ Id, VGS
345mOhm @ 1.25A, 10V
 
Vgs(th) (max.) @ Id
3V @ 250 µA
 
Charge de grille (QG) (max.) @ VGS
4.1 nC @ à 4,5 V
 
Vgs (max.)
±20V
 
Capacité d'entrée (CISS) (max.) @ VDS
210 pF @ 30 V
 
Fonctionnalité de FET
-
 
La dissipation de puissance (maxi)
1 W (Ta), 1.7W (TC)
 
La température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
 
Type de montage
Montage en surface
 
Emballage du dispositif de fournisseur
SOT-23-3 (pour-236)
 
Package / cas
D'-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Numéro de produit de base
Tr2309
 



Caractéristiques • halogène disponible en option • TrenchFET® MOSFET de puissance

APPLICATIONS • Interrupteur de charge





SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
 


SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3


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