shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fabricant: | INFINEON |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
SPW47N60C3FKSA1 : canal N 650 V 47A (TC) 415W (TC), montage traversant PG-TO247-3-1
MFR. Référence : SPW47N60C3FKSA1
MFR. : INFINEON
Fiche technique : (envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)
État ROHS :
Qualité: 100% original
Garantie : UN AN
Package
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Tube
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État du produit
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Actif
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension de vidange à la source (Vdss)
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650 V.
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Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
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47 a (TC)
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Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
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10V
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RDS activé (max.) @ ID, Vgs
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70 mOhm à 30 a, 10 V.
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VGS(th) (Max) @ ID
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3,9 V @ 2,7 mA
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Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
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320 NC @ 10 V.
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VGS (max.)
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±20 V.
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Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
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6800 pF @ 25 V.
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (max.)
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415 W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Trou traversant
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Package de périphérique fournisseur
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PG-TO247-3-1
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Emballage/caisse
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TO-247-3
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Numéro de produit de base
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SPW47N60
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Remarque :