• MOSFET N-CH SPW47N60C3 650 V 47A TO247-3
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MOSFET N-CH SPW47N60C3 650 V 47A TO247-3

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fabricant: INFINEON
d/c: 22+

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Info de Base.

N° de Modèle.
SPW47N60C3
package
TO-247
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Box
Origine
China
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

SPW47N60C3FKSA1 : canal N 650 V 47A (TC) 415W (TC), montage traversant PG-TO247-3-1

MFR. Référence : SPW47N60C3FKSA1

MFR. : INFINEON

Fiche technique :  SPW47N60C3 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3(envoyez-nous un e-mail ou discutez-nous pour un fichier PDF)

État ROHS :  SPW47N60C3 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3

Qualité: 100% original

Garantie : UN AN

 

Package
Tube
 
État du produit
Actif
 
Type FET
Canal N
 
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
 
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V.
 
Courant - courant continu (ID) à 25 °C.
47 a (TC)
 
Tension d'entraînement (RDS max. Activé, RDS min activé)
10V
 
RDS activé (max.) @ ID, Vgs
70 mOhm à 30 a, 10 V.
 
VGS(th) (Max) @ ID
3,9 V @ 2,7 mA
 
Charge de grille (QG) (max.) à Vgs
320 NC @ 10 V.
 
VGS (max.)
±20 V.
 
Capacité d'entrée (SCs) (max.) à VDS
6800 pF @ 25 V.
 
Fonction FET
-
 
Dissipation de puissance (max.)
415 W (TC)
 
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Type de montage
Trou traversant
 
Package de périphérique fournisseur
PG-TO247-3-1
 
Emballage/caisse
TO-247-3
 
Numéro de produit de base
SPW47N60






SPW47N60C3 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3


SPW47N60C3 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3


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