MOSFET N-CH 80V 110A TO220 STP110N8F6

• shape: hqfp64
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• fabricant: STMICRO
• d/c: 22+
• N° de Modèle.: STP110N8F6
• package: D-220
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542399000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

Le protocole STP110N8F6 : le  MOSFET à canal N 80 V, 0,0056 ohm Typ 110 A, F6 STripFET MOSFET de puissance

Mfr. La partie N° : le protocole STP110N8F6

Mfr. : STMICRO

Fiche technique :  (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an

   

La technologie :	Si
Style de montage :	À travers le trou
Package / cas :	D'-220-3
Le transistor la polarité :	N-canal
Nombre de canaux :	Le canal 1
Tension de rupture vds - Drain/Source :	80 V
Id - vidange continu actuel :	110 A
Rds - Drain/Source résistance :	6,5 MOhms
Vgs - Gate-Source tension :	- 20 V, + 20 V
Vgs Gate-Source th - Tension de seuil :	2,5 V
Qg - Charge de grille :	150 nC
Température minimale de fonctionnement :	- 55 C
Température maximale de fonctionnement :	+ 175 C
Pd - Dissipation de puissance :	200 W
Le mode de canal :	La mise en valeur
Nom commercial :	STripFET
Série :	Le protocole STP110N8F6
Emballage :	Le tube
Marque :	STMicroelectronics
Configuration :	Seul
Temps de chute :	48 ns
Hauteur :	15,75 mm
Longueur :	10,4 mm
Type de produit :	Le MOSFET
Temps de montée :	61 ns
Pack d'usine Quantité :	1000
Sous-catégorie :	Des MOSFET
Le transistor de type :	1 Le MOSFET de puissance à canal N
Temps de retard Turn-Off typique :	162 ns
Temps de retard Turn-On typique :	24 ns
Largeur :	4,6 mm
Unité de poids :	0.068784 oz

Applications • applications de commutation


Description
Ce périphérique est un MOSFET de puissance à canal N développé en utilisant la technologie de l'STripFET™ F6 avec une nouvelle structure de la porte de tranchée. Le MOSFET de puissance résultant des expositions très faible RDS(on) dans tous les forfaits








 

 

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