MOSFET de signal 2N7002LT1G

• forme: SMD
• Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
• L′intégration: MSI
• Technique: Semiconductor IC
• fabricant: en demi-lune
• d/c: 17+
• N° de Modèle.: 2N7002LT1G
• package: sot-23
• qualité: original neuf
• Paquet de Transport: Box
• Origine: China
• Code SH: 8542390000
• Capacité de Production: 1000000PCS

Description de Produit

Description

2N7002LT1G :  N-Canal 60 V 7,5 Ohm 225 mW petit signal de montage en surface - SOT-23-3 MOSFET

Paquet : SOT-23

Mfr. La partie N° : 2N7002LT1G

: ONSEMI Mfr.

Fiche technique :  (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

RoHS État :  

Qualité : 100% d'origine

Garantie : 180 jours

 

Ces N-canal en mode d'amélioration de transistors à effet de champ sont produites en utilisant , haute densité cellulaire, la technologie DMOS. Ces produits ont été conçus pour minimiser la résistance à l'état alors que de fournir, robuste et fiable et rapide de performances de commutation. Ils peuvent être utilisés dans la plupart des applications exigeant jusqu'à 400mA DC et peut livrer les courants pulsés jusqu'à 2A. Ces produits sont particulièrement adaptés pour la basse tension, faible courant d'applications comme petite commande de moteur servo, les pilotes de la porte de MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.

Fonctionnalités clés

• AEC-Q101 qualifiée et capable PPAP
• Pb-free des appareils sont disponibles

 

 

Pourquoi nous choisir

• Situé à Shenzhen, le marché électronique Centre de la Chine.
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Avis :

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