forme: | Appartement |
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Conductive type: | Circuit intégré bipolaire, |
L′intégration: | MSI |
Technique: | Semiconductor IC |
fabricant: | vishay |
d/c: | 22+ |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Nous3/611M-E T : la diode 1000 V 1un montage en surface ne-214AC (SMA)
Mfr. La partie N° : US1M-E T3/61
Mfr. : Vishay
Fiche technique : (E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)
Compatible ROHS État :
Qualité : 100% d'origine
Garantie : un an
Le statut du produit
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Actif
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La technologie
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Standard
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Tension - DC (VR) de marche arrière (max.)
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1000 V
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- Moyenne actuelle rectifiée (Io)
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1A
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Tension - Forward (Vf) (max.) @ si
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1,7 V @ 1 A
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La vitesse
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Une récupération rapide =< 500ns, > 200 mA (Io)
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Le temps de récupération de marche arrière (DRT)
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75 ns
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Courant de fuite de marche arrière - @ VR
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10 µA @ 1000 V
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La capacitance @ VR, F
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10pF @ 4V, 1 MHz
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Type de montage
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Montage en surface
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Package / cas
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N-214AC, SMA
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Emballage du dispositif de fournisseur
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N-214AC (SMA)
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La température de fonctionnement - Junction
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-55 °C ~ 150 °C
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Numéro de produit de base
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US1
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Avis :