• Nous3/611M-E T LA Diode de commutation 1A 1 kv à 2 broches SMA
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Nous3/611M-E T LA Diode de commutation 1A 1 kv à 2 broches SMA

forme: Appartement
Conductive type: Circuit intégré bipolaire,
L′intégration: MSI
Technique: Semiconductor IC
fabricant: vishay
d/c: 22+

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Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
US1M-E3/61T
package
sma
qualité
original neuf
Paquet de Transport
Boîte
Origine
Chine
Code SH
8542399000
Capacité de Production
1000000PCS

Description de Produit

Description

Nous3/611M-E T : la  diode 1000 V 1un montage en surface ne-214AC (SMA)

Mfr. La partie N° : US1M-E T3/61

Mfr. : Vishay

Fiche technique :  US1M-E3/61T Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA(E-mail ou chat-nous pour fichier PDF)

Compatible ROHS État :  US1M-E3/61T Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA

Qualité : 100% d'origine

Garantie : un an
 

Le statut du produit
Actif
 
La technologie
Standard
 
Tension - DC (VR) de marche arrière (max.)
1000 V
 
- Moyenne actuelle rectifiée (Io)
1A
 
Tension - Forward (Vf) (max.) @ si
1,7 V @ 1 A
 
La vitesse
Une récupération rapide =< 500ns, > 200 mA (Io)
 
Le temps de récupération de marche arrière (DRT)
75 ns
 
Courant de fuite de marche arrière - @ VR
10 µA @ 1000 V
 
La capacitance @ VR, F
10pF @ 4V, 1 MHz
 
Type de montage
Montage en surface
 
Package / cas
N-214AC, SMA
 
Emballage du dispositif de fournisseur
N-214AC (SMA)
 
La température de fonctionnement - Junction
-55 °C ~ 150 °C
 
Numéro de produit de base
US1



Les applications typiques pour utilisation à haute fréquence de rectification et de l'application en roue libre dans le mode de commutation des convertisseurs et onduleurs pour le consommateur, l'ordinateur, l'automobile, et des télécommunications.


 







US1M-E3/61T Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA
 


US1M-E3/61T Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA


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