tension: | 32 v. |
---|---|
puissance: | 150 mw |
technologie de fabrication: | semi-conducteur optoélectronique |
matériau: | elément semi-conducteur |
type: | semi-conducteur intrinsèque |
package: | cms |
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DIACS | ||||||||
TYPE | Breakover La tension |
Un maximum de | Un maximum de Peak breakover Courant IR MAX @VBO |
Un maximum de | Un maximum de | Paquet Dimensions |
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Breakover | Dynamic | Impulsion de crêTe | ||||||
La tension | Breakover | Courant | ||||||
SyméTrie | La tension | Pour 10us | ||||||
△VBO=(I+VBOI-I-VBOI) | J'ai△V±1 | 120 pps,TA40ºC | ||||||
Min | Non | Max | Volts | UA | Volts | AmpèRes | ||
DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | N-41 A-405 DO-35 |
DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | |
DC34 | 30 | 34 | 38 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | |
DC38 | 35 | 38 | 42 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | |
DC42 | 39 | 42 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | |
LLDB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2.0 | LL-34 SMA |
LLDB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2.0 |
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