| Personnalisation: | Disponible |
|---|---|
| Type conducteur: | Circuit intégré bipolaire |
| Intégration: | MSI |
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Le DN3135N8-G est un MOSFET canal N de diodes Incorporated, conçu pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Voici les principaux détails et caractéristiques de cet appareil :
Tension nominale :
Tension source de vidange (V<sub> DS</sub>) : 30 V.
Tension de la source de grille (V<sub> GS</sub>) : ±20 V.
Intensité nominale :
Courant de vidange continu (I<sub> D</sub>) : 60 A.
Courant de drain pulsé (I<sub> DM</sub>) : capacité de gestion de courant de crête supérieure.
Résistance à l'activation (R<sub> DS(on)</sub>) :
R<sub> DS(on)</sub> : généralement 3.5 mΩ (à V<sub> GS</sub> = 10 V).
Garantit une perte de puissance minimale et une efficacité élevée.
Charge de grille (Q<sub> g</sub>) :
Faible charge de grille pour des performances de commutation rapides.
Forfait :
PowerDI® 5 (8 broches) : boîtier compact et à efficacité thermique.
Conçu pour les applications haute densité de puissance.
Applications :
Convertisseurs DC/DC : convertisseurs abaisseurs synchrones, régulateurs abaisseurs.
Commande de moteur : entraînements de moteur c.c. à balais et sans balais.
Gestion de l'alimentation : interrupteurs de charge, circuits de protection de la batterie.
Systèmes automobiles : distribution et commande de l'alimentation.
Performances thermiques :
Faible résistance thermique pour une dissipation thermique efficace.
Adapté aux applications à courant élevé.
Caractéristiques de protection :
Conception robuste pour les conditions de surintensité et de surchauffe.
Dimensions : 5.0 mm x 6.0 mm.
Profil bas : optimisé pour les conceptions à espace limité.
Tampon thermique : améliore la dissipation thermique pour un fonctionnement à haute puissance.
Appareils portables : gestion de l'alimentation des smartphones, tablettes et ordinateurs portables.
Systèmes industriels : entraînements de moteur, alimentations et inverseurs.
Électronique automobile : modules de distribution de l'alimentation, drivers de LED.
Électronique grand public : convertisseurs de puissance à haut rendement.
Capacité de manipulation de courant élevée.
R<sub> DS(on)</sub> faible pour des pertes de conduction réduites.
Boîtier compact et thermique efficace.
Adapté aux applications de commutation haute fréquence.
